恢復(fù)過(guò)程很短，特別是反向恢DR-5V(10523Y)復(fù)過(guò)程很短（一般在5斗s以下）的二極管被稱為快恢復(fù)二極管(FRD，F(xiàn)ast Recovery Diode)，簡(jiǎn)稱快速二極管。它具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積較小、安裝方便等一系列優(yōu)點(diǎn)�？勺鞲哳l大電流的整流、續(xù)流二極管，在開(kāi)關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間斷電源(UPS)、高頻加熱、交流電機(jī)變頻調(diào)速等設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。
    1．結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與分類
    快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，其工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有的采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，也有的采用對(duì)此加以改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很少，不僅大大減少了反向恢復(fù)時(shí)間，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向電壓�？旎謴�(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。特別是采用外延型P[N結(jié)構(gòu)的所謂的快恢復(fù)外延二極管(FRED，F(xiàn)ast Recovery Epitaxial Diodes)，其反向�；謴�(fù)時(shí)間更短（可低于50ns），因此快恢復(fù)二極管從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒，后者則在lOOns以下，甚至達(dá)到20～30ns�？旎謴�(fù)二極管的封裝形式與肖特基二極管的封裝形式相同，在此不再贅述。

        
    2．性能參數(shù)
    反向恢復(fù)時(shí)間( trr)是快速恢復(fù)二極管的最重要參數(shù)，其定義是電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換成反向，再?gòu)姆聪蜣D(zhuǎn)換到規(guī)定值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻整流及續(xù)流二極管性能的重要指標(biāo)�？旎謴�(fù)二極管的電流波形如圖4-62所示。厶為正向電流，/RM為最大反向恢復(fù)電流�！欠聪蚧謴�(fù)電流，通常規(guī)定0= O.l/RM。當(dāng)f≤to時(shí)，正向電流，=厶。當(dāng)f> to時(shí)，由于整流器件上的正向電壓突然變成庋向電壓，因此正向電流迅速降低，并在扛‘時(shí)刻，/=0，然后整流器件上流過(guò)反向電流k，并且k逐漸增大，在f= t2時(shí)刻達(dá)到最大反向恢復(fù)電流/RM值，此圖4-62快恢復(fù)二極管的電流波形后反向電流逐漸減小，在f= t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值0。從tl～t3的這段時(shí)間就是反向恢復(fù)時(shí)間0�？旎謴�(fù)二極管的其他參數(shù)與普通二極管基本相同。常見(jiàn)快恢復(fù)二極管的主要參數(shù)見(jiàn)表4-16。
    表4-16    常見(jiàn)快恢復(fù)二極管的主要參數(shù)