晶閘管的動(dòng)態(tài)參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2013/5/24 20:19:02 訪問(wèn)次數(shù):1341
晶閘管的主要參數(shù)除電壓和E2E-X10MF1-Z電流參數(shù)外，還有動(dòng)態(tài)參數(shù)，如開(kāi)通時(shí)間tgt.關(guān)斷時(shí)間tq.斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt和通態(tài)電流臨界上升率d//dt等。
(1)開(kāi)通時(shí)間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號(hào)作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過(guò)程中，從門極電流階躍時(shí)刻開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時(shí)間稱為晶閘管開(kāi)通時(shí)間tgt。開(kāi)通時(shí)間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開(kāi)通前的電壓、開(kāi)通后的電流以及負(fù)載電路的時(shí)間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時(shí)間tq。在額定的結(jié)溫時(shí)，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時(shí)間稱為晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq。晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽(yáng)極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開(kāi)路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過(guò)大，即使此時(shí)晶閘管陽(yáng)極電壓幅值并未超過(guò)斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通時(shí)，晶閘管能夠承受而不會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
(1)開(kāi)通時(shí)間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號(hào)作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過(guò)程中，從門極電流階躍時(shí)刻開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時(shí)間稱為晶閘管開(kāi)通時(shí)間tgt。開(kāi)通時(shí)間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開(kāi)通前的電壓、開(kāi)通后的電流以及負(fù)載電路的時(shí)間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時(shí)間tq。在額定的結(jié)溫時(shí)，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時(shí)間稱為晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq。晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽(yáng)極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開(kāi)路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過(guò)大，即使此時(shí)晶閘管陽(yáng)極電壓幅值并未超過(guò)斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通時(shí)，晶閘管能夠承受而不會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
晶閘管的主要參數(shù)除電壓和E2E-X10MF1-Z電流參數(shù)外，還有動(dòng)態(tài)參數(shù)，如開(kāi)通時(shí)間tgt.關(guān)斷時(shí)間tq.斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt和通態(tài)電流臨界上升率d//dt等。
(1)開(kāi)通時(shí)間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號(hào)作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過(guò)程中，從門極電流階躍時(shí)刻開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時(shí)間稱為晶閘管開(kāi)通時(shí)間tgt。開(kāi)通時(shí)間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開(kāi)通前的電壓、開(kāi)通后的電流以及負(fù)載電路的時(shí)間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時(shí)間tq。在額定的結(jié)溫時(shí)，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時(shí)間稱為晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq。晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽(yáng)極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開(kāi)路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過(guò)大，即使此時(shí)晶閘管陽(yáng)極電壓幅值并未超過(guò)斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通時(shí)，晶閘管能夠承受而不會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
(1)開(kāi)通時(shí)間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號(hào)作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過(guò)程中，從門極電流階躍時(shí)刻開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時(shí)間稱為晶閘管開(kāi)通時(shí)間tgt。開(kāi)通時(shí)間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開(kāi)通前的電壓、開(kāi)通后的電流以及負(fù)載電路的時(shí)間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時(shí)間tq。在額定的結(jié)溫時(shí)，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時(shí)間稱為晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq。晶閘管關(guān)斷時(shí)間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽(yáng)極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開(kāi)路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過(guò)大，即使此時(shí)晶閘管陽(yáng)極電壓幅值并未超過(guò)斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通時(shí)，晶閘管能夠承受而不會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
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