單結(jié)晶體E2E-X5F1-Z管有三個(gè)電極，兩個(gè)基極（第一基極bl、第二基極b2）和一個(gè)發(fā)射極e，因此也稱為雙基極二極管，其結(jié)構(gòu)、等效電路、圖形符號(hào)及其引腳如圖6-55所示。
    在一塊高電阻率的N型硅半導(dǎo)體基片上，引出兩個(gè)歐姆接觸極：第一基極bl、第二基極b2，這兩個(gè)基極之間的電阻Rb就是基片的電阻，其值約為2～12kQ。在兩基片間，靠近b2處設(shè)法摻入P型雜質(zhì)——鋁，引出電極稱為發(fā)射極e，e對(duì)bl或b2就是一個(gè)PN結(jié)，具有二極管的導(dǎo)電特性，又稱雙基極二極管。其等效電路如圖6-55 (b)所示，圖中Rbl、Rb2分別為發(fā)射極e與第一基極bl、第二基極b2之間的電阻。

           
    單結(jié)晶體管的實(shí)驗(yàn)電路和伏安特性如圖6-56所示。
    (1)當(dāng)Sl閉合S2斷開時(shí)，/bb=0，二極管VD與Rbl組成串聯(lián)電路，Ue與厶的關(guān)系曲線與二極管正向特性曲線接近。
    (2)當(dāng)Sl斷開、S2閉合時(shí)，外加基極電壓Ubb經(jīng)過Rbl、Rb2分壓，則A點(diǎn)對(duì)bl之間的電壓U。
    (3) Sl閉合S2也閉合，即單結(jié)晶體管加上一定的基極電壓Ubb。
    Ue從零開始逐漸增大，當(dāng)Ue< UA時(shí)，二極管VD處于反偏，VD不尋通，只有很小的反向漏電流，如圖6-56所示。
    當(dāng)Ue=UA時(shí)，二極管VD處于零偏，電流/e=0，如圖6-56中的b點(diǎn)，管子仍處于截止?fàn)顟B(tài)。
    當(dāng)Ue再增大，UA< Ue< UA+UD時(shí)（UD為硅二極管的導(dǎo)通壓降，一般為0.7V），二極管VD開始正偏，但管子仍處于截止?fàn)顟B(tài)，只有很小的正向漏電流流過，即厶>0。
    當(dāng)Ue繼續(xù)增大，達(dá)到Up值（圖中P點(diǎn)）時(shí)，Up= UA+ UD，二極管充分導(dǎo)通，顯著增大，當(dāng)繼續(xù)增大時(shí)，發(fā)射極P區(qū)的空穴不斷地注入N區(qū)，與基片中的電子不斷會(huì)合，使N區(qū)Rbl段中的載流子大量增加，使Rbl阻值迅速減小，UA降低，厶進(jìn)一步增大，而厶的增大又進(jìn)一步使Rbl減小，形成強(qiáng)烈的正反饋。隨著厶的增大，UA降低，又由于Ue=UA+ UD，所以“不斷減小，從而
得出單結(jié)晶體管的發(fā)射極e與第一基極bl之間的動(dòng)態(tài)電阻AR。bl=A Ue/A/e為負(fù)值，這就是單結(jié)晶體管特有的負(fù)阻特性。如圖6-56所示，在曲線上對(duì)應(yīng)的P、V兩點(diǎn)之間的區(qū)域，稱為負(fù)阻區(qū)，坼稱為峰點(diǎn)電壓，Uv為谷點(diǎn)電壓。
    進(jìn)入負(fù)阻區(qū)后，當(dāng)厶繼續(xù)增大，即注入到N區(qū)的空穴增大到一定量時(shí)，一部分空穴來不及與基區(qū)電子復(fù)合，從而剩余一部分空穴，使繼續(xù)注入空六受到阻力，相當(dāng)于Rbl變大，因此，在谷點(diǎn)V之后，單結(jié)晶體管工作工作狀態(tài)由負(fù)阻區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)，恢復(fù)其正阻特性，這時(shí)乩隨厶的增大而逐漸增大。顯而易見，Uv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需要的最小發(fā)射極電壓，一旦出現(xiàn)Ue< Uv時(shí)，單結(jié)晶體管將重新截止，一般Uv為2～5V。
    當(dāng)Ubb改變時(shí)，UP也隨之改變。這樣，改變Ubb就可以得到一組伏安特性曲線。對(duì)晶閘管觸發(fā)電路來說，最希望選用分壓比玎較大、谷點(diǎn)電壓U小一點(diǎn)的單結(jié)晶體管，從而使輸出脈沖幅值及調(diào)節(jié)電阻范圍比較寬。