功率MOSFET主要參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2013/5/27 20:55:39 訪問次數(shù):2650
1．通態(tài)電阻Ron
通態(tài)電阻Ron是與輸出特性密切E6C2-CWZ6C相關(guān)的參數(shù)，是指在確定的柵源電壓Uos下，功率MOSFET由可調(diào)電阻區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的集射極間的直流電阻。它是影響最大輸出功率的重要參數(shù)。在開關(guān)電路中它決定了輸出電壓幅度和自身損耗大小。
在相同的條件下，耐壓等級愈高的器件，其通態(tài)電阻愈大，且器件的通態(tài)壓降愈大。這也是功率MOSFET電壓難以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通態(tài)電阻具有正電阻溫度系數(shù)，當(dāng)電流增大時(shí)，附加發(fā)熱使R。增大，對電流的增加有抑制作用。
2．開啟電壓UG。油）
開啟電壓UG。(th)為轉(zhuǎn)移特性曲線與橫坐標(biāo)交點(diǎn)處的電壓值，又稱閥值電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，通常將漏柵短接條件下b等于ImA時(shí)的柵極電壓定義為開啟電壓UG，它隨結(jié)溫升高而下降，具有負(fù)的溫度系數(shù)。
3．跨導(dǎo)g。
為轉(zhuǎn)移特性的斜率，單位為西門子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨導(dǎo)g的作用與GTR中電流增益相似。
4．漏源擊穿電壓BUDS
漏源擊穿電壓BUD。決定了功率MOSFET的最高工作電壓，它是為了避免器件進(jìn)入雪崩區(qū)而設(shè)的極限參數(shù)。BUD。主要取決于漏區(qū)外延層的電阻率、厚度及其均勻性。由于電阻率隨溫度不同而變化，因此當(dāng)結(jié)溫升高，BUD。隨之增大，耐壓提高。這與雙極型器件如GTR和晶閘管等隨結(jié)溫升高耐壓降低的特性恰好相反。
5．柵源擊穿電壓BUos
柵源擊穿電壓BUo。是為了防止絕緣柵層因柵漏電壓過高而發(fā)生介電擊穿而設(shè)定的參數(shù)。一般柵源電壓的板限值為±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗為
由上式可見，器件的最大耗散功率與管殼溫度有關(guān)。在墨M和Rrj。為定值的條件下，PDM將隨Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散熱條件是十分重要的。
7．漏極連續(xù)電流毛和漏極峰值電流/DM
漏極連續(xù)電流乇和漏極峰值電流/DM表征功率MOSFET的電流容量，它們主要受結(jié)溫的限制。功率MOSFET允許的漏極連續(xù)電流。
實(shí)際上功率MOSFET的漏極連續(xù)電流毛通常沒有直接的用處，僅是作為一個(gè)基準(zhǔn)。這是因?yàn)樵S多實(shí)際應(yīng)用的MOSFET是工作在開關(guān)狀態(tài)中，因此在非直流或脈沖工作情況，其最大漏極電流由額定峰值電流/DM定義。只要不超過額定結(jié)溫，峰值電流/DM可以超過連續(xù)電流。在25℃時(shí)，大多數(shù)功率MOSFET的/DM大約是連續(xù)電流額定值的2～4倍。
此外值得注意的是：隨著結(jié)溫互升高，實(shí)際允許的/和/DM均會(huì)下降。如型號(hào)為IRF330的功率MOSFET，當(dāng)Tc =25℃時(shí)，%力5.5A，當(dāng)Tc =100℃時(shí)，毛為3.3A。所以在選擇器件時(shí)必須根據(jù)實(shí)際工作情況考慮裕量，防止器件在溫度升高時(shí)，漏極電流降低而損壞。
通態(tài)電阻Ron是與輸出特性密切E6C2-CWZ6C相關(guān)的參數(shù)，是指在確定的柵源電壓Uos下，功率MOSFET由可調(diào)電阻區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的集射極間的直流電阻。它是影響最大輸出功率的重要參數(shù)。在開關(guān)電路中它決定了輸出電壓幅度和自身損耗大小。
在相同的條件下，耐壓等級愈高的器件，其通態(tài)電阻愈大，且器件的通態(tài)壓降愈大。這也是功率MOSFET電壓難以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通態(tài)電阻具有正電阻溫度系數(shù)，當(dāng)電流增大時(shí)，附加發(fā)熱使R。增大，對電流的增加有抑制作用。
2．開啟電壓UG。油）
開啟電壓UG。(th)為轉(zhuǎn)移特性曲線與橫坐標(biāo)交點(diǎn)處的電壓值，又稱閥值電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，通常將漏柵短接條件下b等于ImA時(shí)的柵極電壓定義為開啟電壓UG，它隨結(jié)溫升高而下降，具有負(fù)的溫度系數(shù)。
3．跨導(dǎo)g。
為轉(zhuǎn)移特性的斜率，單位為西門子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨導(dǎo)g的作用與GTR中電流增益相似。
4．漏源擊穿電壓BUDS
漏源擊穿電壓BUD。決定了功率MOSFET的最高工作電壓，它是為了避免器件進(jìn)入雪崩區(qū)而設(shè)的極限參數(shù)。BUD。主要取決于漏區(qū)外延層的電阻率、厚度及其均勻性。由于電阻率隨溫度不同而變化，因此當(dāng)結(jié)溫升高，BUD。隨之增大，耐壓提高。這與雙極型器件如GTR和晶閘管等隨結(jié)溫升高耐壓降低的特性恰好相反。
5．柵源擊穿電壓BUos
柵源擊穿電壓BUo。是為了防止絕緣柵層因柵漏電壓過高而發(fā)生介電擊穿而設(shè)定的參數(shù)。一般柵源電壓的板限值為±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗為
由上式可見，器件的最大耗散功率與管殼溫度有關(guān)。在墨M和Rrj。為定值的條件下，PDM將隨Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散熱條件是十分重要的。
7．漏極連續(xù)電流毛和漏極峰值電流/DM
漏極連續(xù)電流乇和漏極峰值電流/DM表征功率MOSFET的電流容量，它們主要受結(jié)溫的限制。功率MOSFET允許的漏極連續(xù)電流。
實(shí)際上功率MOSFET的漏極連續(xù)電流毛通常沒有直接的用處，僅是作為一個(gè)基準(zhǔn)。這是因?yàn)樵S多實(shí)際應(yīng)用的MOSFET是工作在開關(guān)狀態(tài)中，因此在非直流或脈沖工作情況，其最大漏極電流由額定峰值電流/DM定義。只要不超過額定結(jié)溫，峰值電流/DM可以超過連續(xù)電流。在25℃時(shí)，大多數(shù)功率MOSFET的/DM大約是連續(xù)電流額定值的2～4倍。
此外值得注意的是：隨著結(jié)溫互升高，實(shí)際允許的/和/DM均會(huì)下降。如型號(hào)為IRF330的功率MOSFET，當(dāng)Tc =25℃時(shí)，%力5.5A，當(dāng)Tc =100℃時(shí)，毛為3.3A。所以在選擇器件時(shí)必須根據(jù)實(shí)際工作情況考慮裕量，防止器件在溫度升高時(shí)，漏極電流降低而損壞。
1．通態(tài)電阻Ron
通態(tài)電阻Ron是與輸出特性密切E6C2-CWZ6C相關(guān)的參數(shù)，是指在確定的柵源電壓Uos下，功率MOSFET由可調(diào)電阻區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的集射極間的直流電阻。它是影響最大輸出功率的重要參數(shù)。在開關(guān)電路中它決定了輸出電壓幅度和自身損耗大小。
在相同的條件下，耐壓等級愈高的器件，其通態(tài)電阻愈大，且器件的通態(tài)壓降愈大。這也是功率MOSFET電壓難以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通態(tài)電阻具有正電阻溫度系數(shù)，當(dāng)電流增大時(shí)，附加發(fā)熱使R。增大，對電流的增加有抑制作用。
2．開啟電壓UG。油）
開啟電壓UG。(th)為轉(zhuǎn)移特性曲線與橫坐標(biāo)交點(diǎn)處的電壓值，又稱閥值電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，通常將漏柵短接條件下b等于ImA時(shí)的柵極電壓定義為開啟電壓UG，它隨結(jié)溫升高而下降，具有負(fù)的溫度系數(shù)。
3．跨導(dǎo)g。
為轉(zhuǎn)移特性的斜率，單位為西門子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨導(dǎo)g的作用與GTR中電流增益相似。
4．漏源擊穿電壓BUDS
漏源擊穿電壓BUD。決定了功率MOSFET的最高工作電壓，它是為了避免器件進(jìn)入雪崩區(qū)而設(shè)的極限參數(shù)。BUD。主要取決于漏區(qū)外延層的電阻率、厚度及其均勻性。由于電阻率隨溫度不同而變化，因此當(dāng)結(jié)溫升高，BUD。隨之增大，耐壓提高。這與雙極型器件如GTR和晶閘管等隨結(jié)溫升高耐壓降低的特性恰好相反。
5．柵源擊穿電壓BUos
柵源擊穿電壓BUo。是為了防止絕緣柵層因柵漏電壓過高而發(fā)生介電擊穿而設(shè)定的參數(shù)。一般柵源電壓的板限值為±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗為
由上式可見，器件的最大耗散功率與管殼溫度有關(guān)。在墨M和Rrj。為定值的條件下，PDM將隨Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散熱條件是十分重要的。
7．漏極連續(xù)電流毛和漏極峰值電流/DM
漏極連續(xù)電流乇和漏極峰值電流/DM表征功率MOSFET的電流容量，它們主要受結(jié)溫的限制。功率MOSFET允許的漏極連續(xù)電流。
實(shí)際上功率MOSFET的漏極連續(xù)電流毛通常沒有直接的用處，僅是作為一個(gè)基準(zhǔn)。這是因?yàn)樵S多實(shí)際應(yīng)用的MOSFET是工作在開關(guān)狀態(tài)中，因此在非直流或脈沖工作情況，其最大漏極電流由額定峰值電流/DM定義。只要不超過額定結(jié)溫，峰值電流/DM可以超過連續(xù)電流。在25℃時(shí)，大多數(shù)功率MOSFET的/DM大約是連續(xù)電流額定值的2～4倍。
此外值得注意的是：隨著結(jié)溫互升高，實(shí)際允許的/和/DM均會(huì)下降。如型號(hào)為IRF330的功率MOSFET，當(dāng)Tc =25℃時(shí)，%力5.5A，當(dāng)Tc =100℃時(shí)，毛為3.3A。所以在選擇器件時(shí)必須根據(jù)實(shí)際工作情況考慮裕量，防止器件在溫度升高時(shí)，漏極電流降低而損壞。
通態(tài)電阻Ron是與輸出特性密切E6C2-CWZ6C相關(guān)的參數(shù)，是指在確定的柵源電壓Uos下，功率MOSFET由可調(diào)電阻區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的集射極間的直流電阻。它是影響最大輸出功率的重要參數(shù)。在開關(guān)電路中它決定了輸出電壓幅度和自身損耗大小。
在相同的條件下，耐壓等級愈高的器件，其通態(tài)電阻愈大，且器件的通態(tài)壓降愈大。這也是功率MOSFET電壓難以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通態(tài)電阻具有正電阻溫度系數(shù)，當(dāng)電流增大時(shí)，附加發(fā)熱使R。增大，對電流的增加有抑制作用。
2．開啟電壓UG。油）
開啟電壓UG。(th)為轉(zhuǎn)移特性曲線與橫坐標(biāo)交點(diǎn)處的電壓值，又稱閥值電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，通常將漏柵短接條件下b等于ImA時(shí)的柵極電壓定義為開啟電壓UG，它隨結(jié)溫升高而下降，具有負(fù)的溫度系數(shù)。
3．跨導(dǎo)g。
為轉(zhuǎn)移特性的斜率，單位為西門子(S)g。表示功率MOSFET的放大能力，故跨導(dǎo)g的作用與GTR中電流增益相似。
4．漏源擊穿電壓BUDS
漏源擊穿電壓BUD。決定了功率MOSFET的最高工作電壓，它是為了避免器件進(jìn)入雪崩區(qū)而設(shè)的極限參數(shù)。BUD。主要取決于漏區(qū)外延層的電阻率、厚度及其均勻性。由于電阻率隨溫度不同而變化，因此當(dāng)結(jié)溫升高，BUD。隨之增大，耐壓提高。這與雙極型器件如GTR和晶閘管等隨結(jié)溫升高耐壓降低的特性恰好相反。
5．柵源擊穿電壓BUos
柵源擊穿電壓BUo。是為了防止絕緣柵層因柵漏電壓過高而發(fā)生介電擊穿而設(shè)定的參數(shù)。一般柵源電壓的板限值為±20V。
6．最大功耗PDM
功率MOSFET最大功耗為
由上式可見，器件的最大耗散功率與管殼溫度有關(guān)。在墨M和Rrj。為定值的條件下，PDM將隨Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散熱條件是十分重要的。
7．漏極連續(xù)電流毛和漏極峰值電流/DM
漏極連續(xù)電流乇和漏極峰值電流/DM表征功率MOSFET的電流容量，它們主要受結(jié)溫的限制。功率MOSFET允許的漏極連續(xù)電流。
實(shí)際上功率MOSFET的漏極連續(xù)電流毛通常沒有直接的用處，僅是作為一個(gè)基準(zhǔn)。這是因?yàn)樵S多實(shí)際應(yīng)用的MOSFET是工作在開關(guān)狀態(tài)中，因此在非直流或脈沖工作情況，其最大漏極電流由額定峰值電流/DM定義。只要不超過額定結(jié)溫，峰值電流/DM可以超過連續(xù)電流。在25℃時(shí)，大多數(shù)功率MOSFET的/DM大約是連續(xù)電流額定值的2～4倍。
此外值得注意的是：隨著結(jié)溫互升高，實(shí)際允許的/和/DM均會(huì)下降。如型號(hào)為IRF330的功率MOSFET，當(dāng)Tc =25℃時(shí)，%力5.5A，當(dāng)Tc =100℃時(shí)，毛為3.3A。所以在選擇器件時(shí)必須根據(jù)實(shí)際工作情況考慮裕量，防止器件在溫度升高時(shí)，漏極電流降低而損壞。
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相關(guān)技術(shù)資料- 5-27功率MOSFET主要參數(shù)
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