(1)正反饋型驅(qū)動電路
    圖8-13所示為正反饋型驅(qū)E6G2-CWZ1X-H動電路。正反饋信號的獲得是通過二次繞組W3實現(xiàn)的。當輸入信號為高電平時，反相器II的輸出為高電平，在該驅(qū)動信號作用下出現(xiàn)漏極電流，此時一次繞組Wl中感生出星號端為正的反電動勢，在變壓器二次繞組W3中也感生出相應極性的電勢，并通過冠向功率MOSFET的輸入電容充電，隨著功率MOSFET的導通不停地給柵極施以正反饋，加速了功MOSFET的開通過程，縮短了開通時間。當輸入信號為低電平時，使功率MOSFET關(guān)斷，反相器I輸出高電平并使輔助管FETA開通，從而將功率MOSFET的柵極接地，迫使其輸入電容迅速放電，加速功率MOSFET的關(guān)斷速度，由此可見這種電路是一種高速開關(guān)電路。

           
    (2)窄脈沖自保護驅(qū)動電路。
    圖8-14所示為具有過載和短路保護功能的窄脈沖驅(qū)動電路。當輸入信號甜：由低變高時，晶體管VT1導通，脈沖變壓器～次繞組上的電壓為電源電壓Ucl在電阻R2、R3上取得的分壓值。脈沖變壓器可以做得很小，故在很短時間內(nèi)就會飽和，耦合到其二次繞組的電壓是一個正向尖脈沖，該尖脈沖使VT2導通，VT2、VT3組成兩級正反饋互鎖電路，由于互鎖作用VT2、VT3將保持導通，因而VT4導通使功率MOSFET導通。當?shù)赜筛唠娖阶兊蜁r，脈沖變壓器一次側(cè)磁恢復，在二次側(cè)感應出一個負向尖脈沖，使VT2截止，從而使VT3、VT4截止，VT5瞬時導通，關(guān)斷功率MOSFET。在該電路中R6、VD3、VD4構(gòu)成自保護驅(qū)動。參考點A的電位由電阻R4、Rs分壓獲得，在正常工作時功率MOSFET的漏極D點電位低于A點電位，因而二極管VD4截止，電源UC2經(jīng)電阻R6、二極管VD3到功率MOSFET流過電流。當短路或過載時，功率MOSFET的UDS上升，當UD= UA時二極管VD4導通，R6和風上的壓使A點電位升高，由VT2、VT3構(gòu)成的互鎖電路翻轉(zhuǎn)，使VT5瞬時導通，關(guān)斷功率MOSFET，使之得到有效保護。

          
    (3)窄脈沖MOS化驅(qū)動電路。
    可以利用互鎖電路的保持功能實現(xiàn)用窄脈沖驅(qū)動功率MOSFET，互鎖電路由兩個小功率MOSFET管的柵源交叉連接組成。窄脈沖MOS化驅(qū)動電路如圖8-15所示。這樣組成了一個無源雙穩(wěn)態(tài)電路，C1、C2、C是儲能元件，它們可以是外接電容器，也可利用VT1、VT2和功率MOSFET的寄生電容。在輸入信號甜，的上升沿，脈沖變壓器的二次側(cè)產(chǎn)生一個正向尖脈沖使C1充電，VT1開通，C2通過VT1放電使VT2關(guān)斷，C由窄脈沖通過Rg充電使功率MOSFET導通。反之，在輸入信號甜，的下降沿，脈沖變壓器的二次側(cè)產(chǎn)生一個負向尖脈沖使C2充電VT2導通，G和C通過VT2放電，最終VT1和功率MOSFET關(guān)斷。增大C1、C2或改變Rg還可以對導通及關(guān)斷時間進行調(diào)整。當電路開始接電時，VT1、VT2、功率MOSFET均處于關(guān)斷狀態(tài)，由于功率MOSFET的柵極都處于高阻抗狀態(tài)，極易因干擾或噪聲而使電容C1和C2充電，造成功率MOSFET誤導通。為此設(shè)置了電阻Rd、C2，通過Rd對C2自動充電保證功率MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)。