1．過電壓保護電路
    加到MOSFET上的浪涌電壓E6H-CWZ3E有開關(guān)與其他MOSFET等部件產(chǎn)生的浪涌電壓，有MOSFET自身關(guān)斷時產(chǎn)生的浪涌電壓，有MOSFET內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)特性產(chǎn)生的浪涌電壓等，這些過電壓會損壞元件，因此要降低這些電壓的影響。
    圖8-19所示為各種形式的過電壓保護電路，其中圖8-19 (a)所示電路是用RC吸收浪涌電壓的方式，圖8-19 (b)所示電路是再接一只二極管VD抑制浪涌電壓，為防止浪涌電壓的振蕩，VD要采用高頻開關(guān)二極管。圖8-19 (c)所示電路是用穩(wěn)壓二極管鉗位浪涌電壓的方式，而圖8-19(d)、圖8-19 (e)所示電路是MOSFET上如果加的浪涌電壓超過規(guī)定值，就使MOSFET導(dǎo)通的方式。圖8-19 (f)和圖8-19 (g)所示電路在逆變器電路中使用，在正負母線間接電容而吸收浪涌電壓。特別是圖8-19 (g)所示電路能吸收高于電源電壓的浪涌電壓，吸收電路的損耗小。圖8-19 (h)所示電路是對于在感性負載上并聯(lián)二極管VD，能消除來自負載的浪涌電壓。圖8-19 (1)所示電路是柵極串聯(lián)電阻Rc,，使柵極反向電壓- VGS選用最佳值，延遲關(guān)斷時間而抑制浪涌電壓的發(fā)生。

           
    圖8-19各種形式的過電壓保護電路
    對于任何保護電路來說，過電壓抑制電路中的接線都要盡可能地短，盡量靠近MOSFE的電極，另外，主回路接線也要盡量短，采用粗線與多股絞合線，若采用平行線時，需要減小接線電感。
    2．過電流保護電路
    MOSFET的過電流有二種情況，即負載短路與負載過大時產(chǎn)生的過電流，過電流保護的基本電路如圖8-20所示，由電流互感器(CT)檢測過電流，從而切斷MOSFET的柵極信號。也可用電阻或霍爾元件替代CT。