用萬(wàn)用表Rxlk擋去測(cè)量場(chǎng)效E6H-CWZ6C應(yīng)管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。如果出現(xiàn)兩次及兩次以上電阻值較小(幾乎為OQ)，則該場(chǎng)效應(yīng)管損壞；如果僅出現(xiàn)一次電阻值較�。ㄒ话銥閿�(shù)百歐），其余各次測(cè)量電阻值均為無(wú)窮大，還需作進(jìn)一步判斷。以N溝道管為例，可依次做下述測(cè)量，以判定管子是否良好。
    (1)將萬(wàn)用表置于Rxlk擋，先將被測(cè)VMOS管的柵極G與源極S用鑷子短接一下，然后將紅表筆接漏極D，黑表箋接源極S，即測(cè)RSD，所測(cè)阻值應(yīng)為數(shù)千歐，如圖8-21所示。

         
    (2)先用導(dǎo)線短接G與S，將萬(wàn)用表置于RxlOk擋，紅表筆接S，黑表筆接D，即測(cè)RDS，阻值應(yīng)接近無(wú)窮大，否則說明VMOS管內(nèi)部PN結(jié)的反向特性較差，如圖8-22所示。
    (3)緊接上述測(cè)量，將G與S間短路線去掉，表筆位置不動(dòng)，將D與G短接一下再脫開，相當(dāng)于給柵極注入了電荷，此時(shí)阻值應(yīng)大幅度減小并且穩(wěn)定在某一阻值。此阻值越小說明跨導(dǎo)值越高，管子的性能越好。如果萬(wàn)用表指針向右擺幅很小，說明VMOS管的跨導(dǎo)值較小，如圖8-23所示。
    (4)緊接上述操作，表筆不動(dòng)，電阻值維持在某一數(shù)值，用鑷子等導(dǎo)電物將G與S短接一下，給柵極放電，萬(wàn)用表指針應(yīng)立即向左轉(zhuǎn)至無(wú)窮大，如圖8-24所示。

        
    圖8-23 D與G短接一下再脫開    圖8-24 G與S短接一下再脫開
   上述測(cè)量方法是針對(duì)N溝道VMOS場(chǎng)效應(yīng)管而言，若測(cè)量P溝道管，則應(yīng)將萬(wàn)用表兩表筆的位置調(diào)換。