為簡明起見，我們曾用圖9-1 (b)的簡化等EB2-24NU效電路說明IGBT的工作原理，但是IGBT的更實際的工作過程則需用圖9-4來說明。如圖9-4所示，IGBT內(nèi)還含有一個寄生的NPN晶體管，它與作為主開關(guān)器件的PNP晶體管一起將組成一個寄生晶閘管。
    在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間存在著體區(qū)短路電阻氏。在該電阻上，P型體區(qū)的橫向空穴電流會產(chǎn)生一定壓降，見圖9—1(a)。對J3結(jié)來說，相當(dāng)于施加一個正偏置電壓。在額定的集電極電流范圍內(nèi)，這個正偏壓很小，不足以使J3結(jié)導(dǎo)通，NPN晶體管不起作用。如果集電極電流大到一定程度，這個正偏壓將上升，致使NPN晶體管導(dǎo)通，進而使NPN和PNP晶體管同時處于飽和狀態(tài)，造成寄生晶閘管開通，IGBT柵極失去控制作用，這就是所謂的擎住效應(yīng)(Latch)，也稱為自鎖效應(yīng)。IGBT -旦發(fā)生擎住效應(yīng)后，器件失控，極電極電流很大，造成過高的功耗，能導(dǎo)致器件損壞。由此可知集電極電流有一個臨界值，大于此值后IGBT會產(chǎn)生擎住效應(yīng)。為此，器件制造廠必須規(guī)定集電極電流的最大值/CM和相應(yīng)昀柵射電壓的最大值。集電極通電流的連續(xù)值超過臨界值/CM時產(chǎn)生的擎住效應(yīng)稱為靜態(tài)擎住效應(yīng)。值得指出的是，IGBT在關(guān)斷的動態(tài)過程中會產(chǎn)生所謂關(guān)斷擎住或稱動態(tài)擎住效應(yīng)，這種現(xiàn)象在負載為感性時更容易發(fā)生。動態(tài)擎住所允許的集電極電流比靜態(tài)擎住時還要小，因此制造廠所規(guī)定的/CM值是按動態(tài)擎住所允許的最大集電極電流而確定的。

        
    絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)生動態(tài)擎住現(xiàn)象的主要原因是器件在高速關(guān)斷時，電流下降太快，集射電壓Uc。突然上升，在J2結(jié)引起較大的位移電流，當(dāng)該電流流過＆時，可產(chǎn)生足以使NPN晶體管開通的正向偏置電壓，造成寄生晶閘管自鎖。為了避免發(fā)生動態(tài)擎住現(xiàn)象，可適當(dāng)加大柵極串聯(lián)電阻Rd，以延長IGBT的關(guān)斷時間，使電流下降速度變慢，因而使duCE /dt減小。