隨著變換器工作頻率的不斷提高，變換器G4A-1A-E-12V的開(kāi)關(guān)損耗顯著增加。為了降低開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)一步提高變換效率，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。零電壓轉(zhuǎn)換技術(shù)(ZVT)是一種先進(jìn)的諧振軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，工作頻率固定，能夠在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中實(shí)現(xiàn)升壓功率MOSFET的零電壓開(kāi)通和升壓二極管的零電流關(guān)斷。
    UC3855A/UC3855B將ZVT技術(shù)引入功率因數(shù)校正控制技術(shù)當(dāng)中，圖12-6所示為采用有源吸收回路的升壓轉(zhuǎn)換器的原理簡(jiǎn)圖。在圖中，有源吸收電路由ZVT功率MOSFET VTzw.二極管VD2、諧振電感厶和電容Cr組成。

            
    圖12-6采用有源吸收回路的升壓轉(zhuǎn)換器原理簡(jiǎn)圖
    ZVT工作時(shí)序波形圖如圖12-7所示。其具體工作過(guò)程分析如下。
    to～tl時(shí)刻：在to時(shí)刻之前，升壓功率MOSFET（主開(kāi)關(guān)管）處于截止?fàn)顟B(tài)，二極管VD1導(dǎo)通，負(fù)載電流全部流過(guò)VD1。在to時(shí)刻，ZVT功率MOSFET（輔助開(kāi)關(guān)管）VT開(kāi)通。隨著輔助開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通，諧振電感厶上的電流將線性上升至抽。與此同時(shí)，二極管VD1中的電流逐漸下降。當(dāng)電流降至零時(shí)，二極管關(guān)斷，即實(shí)現(xiàn)了二極管的軟關(guān)斷。而在實(shí)際電路中，二極管需要縊歷反向恢復(fù)以去除結(jié)電荷。此時(shí)，ZVT諧振電感厶上的電壓為砜，電感電流上升至/IN的時(shí)間。
    圖12-7 ZVT工作時(shí)序波形圖

          
    tl～t2時(shí)刻：在tl時(shí)刻，諧振電感厶中的電流上升至氐，開(kāi)始諧振。在厶和Cr諧振過(guò)程中，G放電，直到電壓降至零。漏極電壓變化率du/dt由Cr控制，Cr實(shí)際上是CDS與Coss之和。在Cr放電的同時(shí)，諧振電感中的電流持續(xù)上升。漏極電壓降至零所需的時(shí)間長(zhǎng)度應(yīng)是諧振周期的1/4。在諧振周期結(jié)束時(shí)，主開(kāi)關(guān)管的體二極管開(kāi)通。