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電流合成器

發(fā)布時(shí)間:2013/6/4 21:01:23 訪問(wèn)次數(shù):836

    電流合成器。UC3855A/UC3855B內(nèi)置的電流合成器使電流檢測(cè)過(guò)程大大簡(jiǎn)化。當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),開(kāi)關(guān)電流的大小與電感電流相等,而且可利用單個(gè)電流互感器進(jìn)行檢測(cè)。電流合成器在G4A-1A-PE DC5V開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)對(duì)電容Cl充電,充電電流的大小與開(kāi)關(guān)電流的大小成正比。而在開(kāi)關(guān)管截止時(shí),C3855A/UC3855B將重建電感電流的波形。實(shí)現(xiàn)對(duì)電感電流精確測(cè)量的關(guān)鍵是重建電感電流的
下斜坡的斜率。
    電流合成器的失調(diào)電壓大約為20mV,該失調(diào)電壓將會(huì)導(dǎo)致輸入線電流在過(guò)零點(diǎn)發(fā)生畸變。為了對(duì)失調(diào)電壓進(jìn)行補(bǔ)償,需要在%f引腳和ko引腳之間應(yīng)接入一只補(bǔ)償電阻,其大小由電阻扁Mo和電流合成器輸出端的失調(diào)電壓共同決定。當(dāng)失調(diào)電壓為20mV、尺IMo為3.3Q時(shí),該補(bǔ)償電阻的大小降為1.2MQ。
    電流檢測(cè)。UC38855A加C38855B對(duì)開(kāi)關(guān)管電流的檢測(cè)主要是通過(guò)電流互感器實(shí)現(xiàn)的。此處不宜采用檢測(cè)電阻進(jìn)行檢測(cè),原因是功耗較大。
    在采用電流互感器時(shí),需要考慮一些實(shí)際問(wèn)題。由于開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)數(shù)百千赫茲,必須保證磁心可靠復(fù)位。在功率因數(shù)校正電路中保持較高的占空比相對(duì)而言增加了一定的難度。另外,在ZVT電路中,檢測(cè)和復(fù)位技術(shù)比較復(fù)雜,掌握起來(lái)比較困難。由于ZVT電路在工作時(shí)將從線電流中攝取電流,因此容易造成線電流畸變。為最大限度地減小畸變,應(yīng)對(duì)ZVT電路的工作電流進(jìn)行檢測(cè),在電流互感器后面接入諧搌電感可以保證這一點(diǎn)。如果諧振電容跨接在MOSFET的漏極和源極兩側(cè),即位于電流互感器的下方,當(dāng)主開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),電流將流入諧振電容。在線電壓過(guò)零時(shí),占空比接近100%,但由于諧振電容的作用,該電流將消耗掉一小部分的復(fù)位時(shí)間。如果電流互感器因此沒(méi)有足夠的時(shí)間復(fù)位,磁心將會(huì)飽和,并造成輸入線電流在過(guò)零點(diǎn)發(fā)生畸變。因此推薦電流互感器采用如圖l2.11所示的電路結(jié)構(gòu),即諧振電容跨接在電流互感器的上方。
    電流合成器。UC3855A/UC3855B內(nèi)置的電流合成器使電流檢測(cè)過(guò)程大大簡(jiǎn)化。當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),開(kāi)關(guān)電流的大小與電感電流相等,而且可利用單個(gè)電流互感器進(jìn)行檢測(cè)。電流合成器在G4A-1A-PE DC5V開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)對(duì)電容Cl充電,充電電流的大小與開(kāi)關(guān)電流的大小成正比。而在開(kāi)關(guān)管截止時(shí),C3855A/UC3855B將重建電感電流的波形。實(shí)現(xiàn)對(duì)電感電流精確測(cè)量的關(guān)鍵是重建電感電流的
下斜坡的斜率。
    電流合成器的失調(diào)電壓大約為20mV,該失調(diào)電壓將會(huì)導(dǎo)致輸入線電流在過(guò)零點(diǎn)發(fā)生畸變。為了對(duì)失調(diào)電壓進(jìn)行補(bǔ)償,需要在%f引腳和ko引腳之間應(yīng)接入一只補(bǔ)償電阻,其大小由電阻扁Mo和電流合成器輸出端的失調(diào)電壓共同決定。當(dāng)失調(diào)電壓為20mV、尺IMo為3.3Q時(shí),該補(bǔ)償電阻的大小降為1.2MQ。
    電流檢測(cè)。UC38855A加C38855B對(duì)開(kāi)關(guān)管電流的檢測(cè)主要是通過(guò)電流互感器實(shí)現(xiàn)的。此處不宜采用檢測(cè)電阻進(jìn)行檢測(cè),原因是功耗較大。
    在采用電流互感器時(shí),需要考慮一些實(shí)際問(wèn)題。由于開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)數(shù)百千赫茲,必須保證磁心可靠復(fù)位。在功率因數(shù)校正電路中保持較高的占空比相對(duì)而言增加了一定的難度。另外,在ZVT電路中,檢測(cè)和復(fù)位技術(shù)比較復(fù)雜,掌握起來(lái)比較困難。由于ZVT電路在工作時(shí)將從線電流中攝取電流,因此容易造成線電流畸變。為最大限度地減小畸變,應(yīng)對(duì)ZVT電路的工作電流進(jìn)行檢測(cè),在電流互感器后面接入諧搌電感可以保證這一點(diǎn)。如果諧振電容跨接在MOSFET的漏極和源極兩側(cè),即位于電流互感器的下方,當(dāng)主開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),電流將流入諧振電容。在線電壓過(guò)零時(shí),占空比接近100%,但由于諧振電容的作用,該電流將消耗掉一小部分的復(fù)位時(shí)間。如果電流互感器因此沒(méi)有足夠的時(shí)間復(fù)位,磁心將會(huì)飽和,并造成輸入線電流在過(guò)零點(diǎn)發(fā)生畸變。因此推薦電流互感器采用如圖l2.11所示的電路結(jié)構(gòu),即諧振電容跨接在電流互感器的上方。
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6-4電流合成器
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