整數(shù)比的電流反射鏡電路，已經(jīng)可以G5V-2-H1 DC12利用不改變電流密度的增減輸入一側(cè)或輸出一側(cè)的器件數(shù)目的方法來實現(xiàn)。
    當希望得到任意倍率口的電流反射鏡電路的時候，如果像圖4. 15(a)那樣，使用發(fā)射區(qū)面積為d倍的器件就可以了。不過這一點對于分立器件來說卻無法實現(xiàn)，即使集成電路，在整數(shù)比以外的精度也不能保證。因此，使用稍微特別一點的方法來實現(xiàn)。
    基于雙極晶體管的電流反射鏡電路中，電流比與基極一發(fā)射極間電壓之差AV BE具有式(4.15)的關(guān)系。因為由AV BE決定電流比，利用這一點就可以制怍任意倍率的反射鏡電路。

          
    這就是說，如圖4. 15(b)那樣，通過移動電壓，提供基極電壓，就能夠?qū)崿F(xiàn)任意倍率的電流反射鏡電路。
    圖4. 15(b)中的浮動電壓源，像圖4.15(c)那樣，可以使用電阻和電流源來實現(xiàn)。電流源的電流設(shè)定為基極電流的10倍以上，使得可以忽略基極電流。如果使用電流值與熱力學溫度成比例的PTAT電流源(Proportional To Abso-lute Temperature)，那么即使溫度變化，也能夠確保反射鏡電路的倍率。http://xunlu03.51dzw.com/