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門(mén)極關(guān)斷晶閘管應(yīng)用電路

發(fā)布時(shí)間:2013/7/5 21:21:14 訪問(wèn)次數(shù):866

    門(mén)極關(guān)斷晶閘管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)也稱(chēng)TQ4-L-12V柵控晶閘管。以P型門(mén)極為例,它由PNPN4層半導(dǎo)體材料構(gòu)成,其3個(gè)電極分別為陽(yáng)極A、陰極K和門(mén)極G。
    圖7-2所示是單電源門(mén)極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路,電路中的VS2為門(mén)極關(guān)斷晶閘管,VS1為普通晶閘管,VT1為導(dǎo)通脈沖放大管。
    圖7-2單電源門(mén)極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路
    1.導(dǎo)通觸發(fā)過(guò)程分析
    在導(dǎo)通脈沖到來(lái)時(shí),正脈沖加到NPN型三極管VT1基極,使之飽和導(dǎo)通,其發(fā)射極輸出的正脈沖通過(guò)Rl加到VS2柵極,VS2觸發(fā)而導(dǎo)通。此時(shí),因?yàn)殛P(guān)斷脈沖沒(méi)有出現(xiàn),所以VS1不能導(dǎo)通而處于截止?fàn)顟B(tài)。
    VT1和VS2導(dǎo)通后(VS1截止),VT1管發(fā)射極輸出電流通過(guò)導(dǎo)通的VD1對(duì)電容Cl進(jìn)行充電,充電電流回路如圖7-3所示,在電容Cl上充到的電壓極性為左正右負(fù)。

            
    2.關(guān)斷觸發(fā)過(guò)程分析
    關(guān)斷觸發(fā)脈沖出現(xiàn),導(dǎo)通觸發(fā)脈沖消失.VT1截止,關(guān)斷觸發(fā)正脈沖加到VS1柵極,使VS1導(dǎo)通,如圖7-4所示。VS1導(dǎo)通后,相當(dāng)于將電容Cl左端接地,這樣原先電容Cl上充到的左正右負(fù)電壓加到VS2柵極,這是負(fù)極性電壓,即VS2柵極對(duì)地加有負(fù)極性電壓,將VS2關(guān)斷。

                   

    門(mén)極關(guān)斷晶閘管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)也稱(chēng)TQ4-L-12V柵控晶閘管。以P型門(mén)極為例,它由PNPN4層半導(dǎo)體材料構(gòu)成,其3個(gè)電極分別為陽(yáng)極A、陰極K和門(mén)極G。
    圖7-2所示是單電源門(mén)極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路,電路中的VS2為門(mén)極關(guān)斷晶閘管,VS1為普通晶閘管,VT1為導(dǎo)通脈沖放大管。
    圖7-2單電源門(mén)極關(guān)斷晶閘管柵極驅(qū)動(dòng)電路
    1.導(dǎo)通觸發(fā)過(guò)程分析
    在導(dǎo)通脈沖到來(lái)時(shí),正脈沖加到NPN型三極管VT1基極,使之飽和導(dǎo)通,其發(fā)射極輸出的正脈沖通過(guò)Rl加到VS2柵極,VS2觸發(fā)而導(dǎo)通。此時(shí),因?yàn)殛P(guān)斷脈沖沒(méi)有出現(xiàn),所以VS1不能導(dǎo)通而處于截止?fàn)顟B(tài)。
    VT1和VS2導(dǎo)通后(VS1截止),VT1管發(fā)射極輸出電流通過(guò)導(dǎo)通的VD1對(duì)電容Cl進(jìn)行充電,充電電流回路如圖7-3所示,在電容Cl上充到的電壓極性為左正右負(fù)。

            
    2.關(guān)斷觸發(fā)過(guò)程分析
    關(guān)斷觸發(fā)脈沖出現(xiàn),導(dǎo)通觸發(fā)脈沖消失.VT1截止,關(guān)斷觸發(fā)正脈沖加到VS1柵極,使VS1導(dǎo)通,如圖7-4所示。VS1導(dǎo)通后,相當(dāng)于將電容Cl左端接地,這樣原先電容Cl上充到的左正右負(fù)電壓加到VS2柵極,這是負(fù)極性電壓,即VS2柵極對(duì)地加有負(fù)極性電壓,將VS2關(guān)斷。

                   

相關(guān)技術(shù)資料
7-5門(mén)極關(guān)斷晶閘管應(yīng)用電路
相關(guān)IC型號(hào)
TQ4-L-12V
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