低頻小信號響應(yīng)
發(fā)布時間:2013/7/30 20:18:07 訪問次數(shù):900
當采用近似大小的器件和50kC1負反饋電阻時，對于BJT和MOS，PQ1CZ21H其大小分別近似為2.55V和2.6V（參考負反饋CE／CS晶體管的低頻小信號部分，討論負反饋跨導(dǎo)和它的負反饋等效值）。
雖然差分對可以不處理共模電壓口。M但是任意擴展u。M的直流值最終將使電路中一個或者多個晶體管偏離它們的高增益區(qū)（即對于BJT進入飽和，對于MOSFET進入三極管區(qū)），降低電路的整體增益性能。例如，在N型差分對中，V。，M減少會降低共射或共源耦合點電壓（在它之下VBE或Vc），限制尾電流偏置電路到更低的電壓，這樣做的極端情況將使偏置晶體管進入三極管區(qū)而惡化，nas。類似地，更高的電壓使共射或共源耦合點到更高的電壓，這樣做的極端情況會使一個或兩個差分對的晶體管進入低增益區(qū)（即三極管區(qū)）。因此尾電流的最小電壓和負載的最大電壓(即Vl.oad,max)）限制了電路工作的輸入共模電壓范圍(ICMR)：
雖然將體極連接到源極消除了體效應(yīng)，但這樣做會使源極暴露在共同的襯底噪聲下，把體極單獨接到一個電壓則不會。然而，把體接到電源會增加輸入對的有效閾值電匿(VT)。增加VI、將降低尾電流晶體管的電壓，從而降低l(、MR，因為此時在尾電流晶體管進入三極管區(qū)之前V。M和電源之間存在更高的壓差。有趣的是，相同地增加VT同樣擴大了ICMR，因為如今在一個或兩個差分對晶體管進入三極管區(qū)之前，和負載之間必定存在更低的裕度。
低頻小信號響應(yīng)
確定差分對的小信號交流特性時，分解成差分交流輸入信號Vid和共模交流輸入信號是非常有用的。分別分析它們時，先分析其中一個且假設(shè)另一個為o（反之亦然），然后通過疊加反饋耦合。在僅僅只有差分信號的情況下，因為差分電壓的相等但反相部分作用在差分對的輸入端（且尾電流源I}3ias仍為常量），輸出電流同樣是相等且反相。產(chǎn)生的共射／源交流電壓等于O是因為流過RT，的凈電流為O，此電壓是尾電流在等效輸出電阻（即Rr）上的歐姆壓降。那么，共射／源極點變成差分信號的交流虛地。然而，注意到這僅僅對差分信號有效，其中的相同和相反的部分在電路各自的輸入端。
對于差分信號，差分對的小信號等效電路分觶為兩個CE/CS晶體管放大器，每一個擁有一半的輸入信號。它們各自的小信號參數(shù)相等，因為它們的偏置情況（即集電極／漏極電流和基極一發(fā)射極／柵極一源極電壓）和物理特性相同一兩個晶體管設(shè)計匹配。因為它的基極／柵極的小信號電壓僅有一半到輸入，經(jīng)過每一個晶體管的差分增益（即AD1和AD2）是一個基本CE/CS增益級的一半.
雖然差分對可以不處理共模電壓口。M但是任意擴展u。M的直流值最終將使電路中一個或者多個晶體管偏離它們的高增益區(qū)（即對于BJT進入飽和，對于MOSFET進入三極管區(qū)），降低電路的整體增益性能。例如，在N型差分對中，V。，M減少會降低共射或共源耦合點電壓（在它之下VBE或Vc），限制尾電流偏置電路到更低的電壓，這樣做的極端情況將使偏置晶體管進入三極管區(qū)而惡化，nas。類似地，更高的電壓使共射或共源耦合點到更高的電壓，這樣做的極端情況會使一個或兩個差分對的晶體管進入低增益區(qū)（即三極管區(qū)）。因此尾電流的最小電壓和負載的最大電壓(即Vl.oad,max)）限制了電路工作的輸入共模電壓范圍(ICMR)：
雖然將體極連接到源極消除了體效應(yīng)，但這樣做會使源極暴露在共同的襯底噪聲下，把體極單獨接到一個電壓則不會。然而，把體接到電源會增加輸入對的有效閾值電匿(VT)。增加VI、將降低尾電流晶體管的電壓，從而降低l(、MR，因為此時在尾電流晶體管進入三極管區(qū)之前V。M和電源之間存在更高的壓差。有趣的是，相同地增加VT同樣擴大了ICMR，因為如今在一個或兩個差分對晶體管進入三極管區(qū)之前，和負載之間必定存在更低的裕度。
低頻小信號響應(yīng)
確定差分對的小信號交流特性時，分解成差分交流輸入信號Vid和共模交流輸入信號是非常有用的。分別分析它們時，先分析其中一個且假設(shè)另一個為o（反之亦然），然后通過疊加反饋耦合。在僅僅只有差分信號的情況下，因為差分電壓的相等但反相部分作用在差分對的輸入端（且尾電流源I}3ias仍為常量），輸出電流同樣是相等且反相。產(chǎn)生的共射／源交流電壓等于O是因為流過RT，的凈電流為O，此電壓是尾電流在等效輸出電阻（即Rr）上的歐姆壓降。那么，共射／源極點變成差分信號的交流虛地。然而，注意到這僅僅對差分信號有效，其中的相同和相反的部分在電路各自的輸入端。
對于差分信號，差分對的小信號等效電路分觶為兩個CE/CS晶體管放大器，每一個擁有一半的輸入信號。它們各自的小信號參數(shù)相等，因為它們的偏置情況（即集電極／漏極電流和基極一發(fā)射極／柵極一源極電壓）和物理特性相同一兩個晶體管設(shè)計匹配。因為它的基極／柵極的小信號電壓僅有一半到輸入，經(jīng)過每一個晶體管的差分增益（即AD1和AD2）是一個基本CE/CS增益級的一半.
當采用近似大小的器件和50kC1負反饋電阻時，對于BJT和MOS，PQ1CZ21H其大小分別近似為2.55V和2.6V（參考負反饋CE／CS晶體管的低頻小信號部分，討論負反饋跨導(dǎo)和它的負反饋等效值）。
雖然差分對可以不處理共模電壓口。M但是任意擴展u。M的直流值最終將使電路中一個或者多個晶體管偏離它們的高增益區(qū)（即對于BJT進入飽和，對于MOSFET進入三極管區(qū)），降低電路的整體增益性能。例如，在N型差分對中，V。，M減少會降低共射或共源耦合點電壓（在它之下VBE或Vc），限制尾電流偏置電路到更低的電壓，這樣做的極端情況將使偏置晶體管進入三極管區(qū)而惡化，nas。類似地，更高的電壓使共射或共源耦合點到更高的電壓，這樣做的極端情況會使一個或兩個差分對的晶體管進入低增益區(qū)（即三極管區(qū)）。因此尾電流的最小電壓和負載的最大電壓(即Vl.oad,max)）限制了電路工作的輸入共模電壓范圍(ICMR)：
雖然將體極連接到源極消除了體效應(yīng)，但這樣做會使源極暴露在共同的襯底噪聲下，把體極單獨接到一個電壓則不會。然而，把體接到電源會增加輸入對的有效閾值電匿(VT)。增加VI、將降低尾電流晶體管的電壓，從而降低l(、MR，因為此時在尾電流晶體管進入三極管區(qū)之前V。M和電源之間存在更高的壓差。有趣的是，相同地增加VT同樣擴大了ICMR，因為如今在一個或兩個差分對晶體管進入三極管區(qū)之前，和負載之間必定存在更低的裕度。
低頻小信號響應(yīng)
確定差分對的小信號交流特性時，分解成差分交流輸入信號Vid和共模交流輸入信號是非常有用的。分別分析它們時，先分析其中一個且假設(shè)另一個為o（反之亦然），然后通過疊加反饋耦合。在僅僅只有差分信號的情況下，因為差分電壓的相等但反相部分作用在差分對的輸入端（且尾電流源I}3ias仍為常量），輸出電流同樣是相等且反相。產(chǎn)生的共射／源交流電壓等于O是因為流過RT，的凈電流為O，此電壓是尾電流在等效輸出電阻（即Rr）上的歐姆壓降。那么，共射／源極點變成差分信號的交流虛地。然而，注意到這僅僅對差分信號有效，其中的相同和相反的部分在電路各自的輸入端。
對于差分信號，差分對的小信號等效電路分觶為兩個CE/CS晶體管放大器，每一個擁有一半的輸入信號。它們各自的小信號參數(shù)相等，因為它們的偏置情況（即集電極／漏極電流和基極一發(fā)射極／柵極一源極電壓）和物理特性相同一兩個晶體管設(shè)計匹配。因為它的基極／柵極的小信號電壓僅有一半到輸入，經(jīng)過每一個晶體管的差分增益（即AD1和AD2）是一個基本CE/CS增益級的一半.
雖然差分對可以不處理共模電壓口。M但是任意擴展u。M的直流值最終將使電路中一個或者多個晶體管偏離它們的高增益區(qū)（即對于BJT進入飽和，對于MOSFET進入三極管區(qū)），降低電路的整體增益性能。例如，在N型差分對中，V。，M減少會降低共射或共源耦合點電壓（在它之下VBE或Vc），限制尾電流偏置電路到更低的電壓，這樣做的極端情況將使偏置晶體管進入三極管區(qū)而惡化，nas。類似地，更高的電壓使共射或共源耦合點到更高的電壓，這樣做的極端情況會使一個或兩個差分對的晶體管進入低增益區(qū)（即三極管區(qū)）。因此尾電流的最小電壓和負載的最大電壓(即Vl.oad,max)）限制了電路工作的輸入共模電壓范圍(ICMR)：
雖然將體極連接到源極消除了體效應(yīng)，但這樣做會使源極暴露在共同的襯底噪聲下，把體極單獨接到一個電壓則不會。然而，把體接到電源會增加輸入對的有效閾值電匿(VT)。增加VI、將降低尾電流晶體管的電壓，從而降低l(、MR，因為此時在尾電流晶體管進入三極管區(qū)之前V。M和電源之間存在更高的壓差。有趣的是，相同地增加VT同樣擴大了ICMR，因為如今在一個或兩個差分對晶體管進入三極管區(qū)之前，和負載之間必定存在更低的裕度。
低頻小信號響應(yīng)
確定差分對的小信號交流特性時，分解成差分交流輸入信號Vid和共模交流輸入信號是非常有用的。分別分析它們時，先分析其中一個且假設(shè)另一個為o（反之亦然），然后通過疊加反饋耦合。在僅僅只有差分信號的情況下，因為差分電壓的相等但反相部分作用在差分對的輸入端（且尾電流源I}3ias仍為常量），輸出電流同樣是相等且反相。產(chǎn)生的共射／源交流電壓等于O是因為流過RT，的凈電流為O，此電壓是尾電流在等效輸出電阻（即Rr）上的歐姆壓降。那么，共射／源極點變成差分信號的交流虛地。然而，注意到這僅僅對差分信號有效，其中的相同和相反的部分在電路各自的輸入端。
對于差分信號，差分對的小信號等效電路分觶為兩個CE/CS晶體管放大器，每一個擁有一半的輸入信號。它們各自的小信號參數(shù)相等，因為它們的偏置情況（即集電極／漏極電流和基極一發(fā)射極／柵極一源極電壓）和物理特性相同一兩個晶體管設(shè)計匹配。因為它的基極／柵極的小信號電壓僅有一半到輸入，經(jīng)過每一個晶體管的差分增益（即AD1和AD2）是一個基本CE/CS增益級的一半.
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