晶體二極管的伏安特性是指加在晶體二極管兩端的電壓和流過晶體二極管的電流之間的關(guān)系曲線，ZMM4V3晶體二極管伏安特性通常用來描述晶體二極管的性能。圖2-28所示為晶體二極管的伏安特性曲線。
    圖2-28  晶體二極管的伏安特性曲線

          
    ●正向特性：在電子電路中，將晶體二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，晶體二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當(dāng)加在晶體二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，晶體二極管仍然不能導(dǎo)通，流過晶體二極管的正向電流十分微弱。只有肖正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管為0.2~0. 3V，硅管為0.6~0.7V)以后，晶體二極管才能直接導(dǎo)通。導(dǎo)通后晶體二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0. 3V，硅管約為0.7V），稱為晶體二極管的“正向壓降”。
    ●反向特陛：在電子電路中，晶體二極管的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，此時(shí)晶體二極管中幾乎沒有電流流過，晶體二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。晶體二極管處于反向偏置時(shí)，仍然會(huì)有微弱的反向電流流過晶體二極管，稱為漏電流。反向電流（漏電流）有兩個(gè)顯著特點(diǎn)：一是受溫度影響很大；二是反向電壓不超過一定范圍時(shí)，其電流大小基本不變，即與反向電壓大小無關(guān)，因此反向電流又稱為反向飽和電流。
    ●擊穿特性：當(dāng)晶體二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)急劇增大，晶體二極管將失去單方向?qū)щ娞匦�，這種狀態(tài)晶體二極管被擊穿。