普通電容器基本結(jié)構(gòu)昶主要參數(shù)解說(shuō)
發(fā)布時(shí)間:2013/8/11 16:52:36 訪問(wèn)次數(shù):883
1.電容器基本結(jié)構(gòu)解說(shuō)
如圖4-3所示是電容器的基本結(jié)構(gòu)示意圖。500901-0801電容器由兩塊極板構(gòu)成,兩極板之間為絕緣
圖4.3 電容器的基本結(jié)構(gòu)示意圖
介質(zhì),在兩極板上分別引出一根引腳,這樣可以構(gòu)成電容器。無(wú)論哪種電容器,它的基本結(jié)構(gòu)都是這樣的。
電容器f締構(gòu)非常簡(jiǎn)單,保證兩極扳之間是絕緣藝間磷接通,就不是電容器。
2.電容器容量
把電容器兩極板間的電勢(shì)差增加1V所需的電量稱為電容器的電容。
電容器從物理學(xué)上講是一種靜態(tài)電荷存儲(chǔ)介質(zhì),形象的比喻就是電容器像一只水桶,水桶用來(lái)儲(chǔ)水,電容器則可以將電荷存儲(chǔ)起來(lái)。在沒(méi)有放電回路的情況下,也不考慮介質(zhì)漏電自放電效應(yīng)時(shí),電容器可以永久性地存放電荷。
電容器的容量大小表征了電容器存儲(chǔ)電荷多少的能力,它是電容器的重要參數(shù),不同電路功能會(huì)選擇不同容量大小的電容器。電容器容量大小用大寫字母C表示。
S-兩極板相對(duì)重疊部分的極板面積;
d-兩極板之間的距離。
由上式可知,電容器容量C的大小與兩極板相對(duì)面積S成正比,而與兩極板之間的距離d成反比,示意圖如圖4-4所示。
如圖4-5所示可以形象地說(shuō)明電容器容量C與S、d之間的關(guān)系。
1.電容器基本結(jié)構(gòu)解說(shuō)
如圖4-3所示是電容器的基本結(jié)構(gòu)示意圖。500901-0801電容器由兩塊極板構(gòu)成,兩極板之間為絕緣
圖4.3 電容器的基本結(jié)構(gòu)示意圖
介質(zhì),在兩極板上分別引出一根引腳,這樣可以構(gòu)成電容器。無(wú)論哪種電容器,它的基本結(jié)構(gòu)都是這樣的。
電容器f締構(gòu)非常簡(jiǎn)單,保證兩極扳之間是絕緣藝間磷接通,就不是電容器。
2.電容器容量
把電容器兩極板間的電勢(shì)差增加1V所需的電量稱為電容器的電容。
電容器從物理學(xué)上講是一種靜態(tài)電荷存儲(chǔ)介質(zhì),形象的比喻就是電容器像一只水桶,水桶用來(lái)儲(chǔ)水,電容器則可以將電荷存儲(chǔ)起來(lái)。在沒(méi)有放電回路的情況下,也不考慮介質(zhì)漏電自放電效應(yīng)時(shí),電容器可以永久性地存放電荷。
電容器的容量大小表征了電容器存儲(chǔ)電荷多少的能力,它是電容器的重要參數(shù),不同電路功能會(huì)選擇不同容量大小的電容器。電容器容量大小用大寫字母C表示。
S-兩極板相對(duì)重疊部分的極板面積;
d-兩極板之間的距離。
由上式可知,電容器容量C的大小與兩極板相對(duì)面積S成正比,而與兩極板之間的距離d成反比,示意圖如圖4-4所示。
如圖4-5所示可以形象地說(shuō)明電容器容量C與S、d之間的關(guān)系。
上一篇:快速了解電容器參數(shù)
熱門點(diǎn)擊
- 銀云母電容
- 柵漏電阻值的選取
- 電源濾波電路中高頻濾波電容電路分析
- 分相器
- 共源極放大電路與射極跟隨器的組合
- 晶體管恒流源
- DVD影碟機(jī)AV解碼電路的識(shí)圖方法
- 倍增密勒效應(yīng)
- 加速電容
- 功率放大器過(guò)載保護(hù)電路中的取樣電阻電路
推薦技術(shù)資料
- 基準(zhǔn)電壓的提供
- 開始的時(shí)候,想使用LM385作為基準(zhǔn),HIN202EC... [詳細(xì)]
- 1200 V CoolSiC MOSFET
- 高帶寬內(nèi)存(HBM)和芯片間互連(ICI)應(yīng)
- 第七代TPU—Ironwood
- Neuralink新款“心靈感
- IR最新功率MOSFET的30
- 全新第4代SiC MOSFET
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究