1．RC低頻衰減電路分析
    如圖5-72所示是采用RC串聯(lián)電路來衰減低頻信號的電路。74HC08D電路中，VT1構成一級共發(fā)射極音頻放大器，電阻Rl和R2構成VT1基極偏置電路，R3是VT1集電極電阻，R4是VT1發(fā)射極負反饋電阻，R5和C4的串聯(lián)電路并聯(lián)在負反饋電阻R4上，也是負反饋電路的一部分。
   圖5-72 RC串聯(lián)低頻衰減電路

           
   對于負反饋電阻R4而言，其阻值越大，負反饋量越大，放大器的放大倍數(shù)越小。對于交流信號負反饋而言，VT1的發(fā)射極負反饋電阻應該是R5串聯(lián)C4再與R4并聯(lián)后的總阻抗，由于R4阻值不隨頻率變化而變化，所以主要是分析R5和C4串聯(lián)電路阻抗隨頻率變化時負反饋量的改變。
    2．RC低頻提升電路分析
    如圖5-73所示是采用RC串聯(lián)電路構成的低頻提升電路。電路中的VT1和VT2構成雙管音頻放大器，兩管均接成共發(fā)射極電路。R5和C4構成電壓串聯(lián)負反饋電路。

          
    對于電壓并聯(lián)負反饋電路而言，負反饋電路的阻抗越大，負反饋量越小，放大器的放大倍數(shù)越大。這是分析這一低頻提升電路的基本思路，不掌握這一點就無法分析這一電路的工作原理。
    如圖5-74所示是這- RC串聯(lián)電路的阻抗特性曲線，頻率低于800Hz時阻抗隨頻率降低而升高。如表5-18所示是低頻提升電路工作原理解說。