LDO電路架構(gòu)簡單、外部組件很少。一般的LDO架構(gòu)為：DS1200DC-3-001一個(gè)誤差放大器驅(qū)動(dòng)一個(gè)P型MOSFET，利用反饋電位與參考電位做比較，使輸出電壓保持穩(wěn)定。
    當(dāng)系統(tǒng)中需要超低壓差、低輸出電壓(0.8～1.8V)、高輸出電流時(shí)，用傳統(tǒng)單電源、P-MOSFET的架構(gòu)來設(shè)計(jì)LDO就變得相當(dāng)困難。因此出現(xiàn)了超低壓差穩(wěn)壓器，它采用N-MOSFET來當(dāng)驅(qū)動(dòng)器，以相同大小的驅(qū)動(dòng)器來說，N-MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性一般優(yōu)于
P-MOSFET。但是，在低輸入電壓時(shí)，N-MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性又顯得不足，且可能不適合整個(gè)集成電路的工作電壓。為此，采用另一組電源輸入來提供集成電路穩(wěn)定的工作電壓，并且大大提升N-MOSFET的驅(qū)動(dòng)能力。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓輸入轉(zhuǎn)換低電壓輸出，并且能具有大的輸出電流。
    如圖9-64所示是LTC3409超低壓差穩(wěn)壓器集成電路的典型應(yīng)用電路，它未穩(wěn)定的直流輸八電壓為1.6～5.5V，輸出穩(wěn)定的直流電壓為1.5V。當(dāng)改變電路中電阻Rl、R2的阻值時(shí)可以得到更多的輸出電壓等級(jí)。
    電路中的電容Cl為輸入端濾波電容，C3為輸出端濾波電容，均使用陶瓷電容器。
    如表9-18所示是不同輸出電壓砜情況下的電阻Ri、R2阻值。
    表9-18不同輸出電壓Uo情況下的電阻Ri、R2阻值
    如圖9-65所示是另一種超低壓差穩(wěn)壓器集成電路MPC33外形示意圖。
    圖9-64  LTC3409超低壓差穩(wěn)壓器集成電路的典型應(yīng)用電路