場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor)簡稱場效應(yīng)管，縮寫FET。DS2900-3場效應(yīng)管是又一種半導(dǎo)體放大器件，它是20世紀(jì)60年代后發(fā)展起來的一種器件。
    場效應(yīng)管不僅具有晶體管的體積小、省電、耐用等優(yōu)點(diǎn)，更具有輸入阻抗很高(108～109Q)、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、功耗低、動態(tài)范圍大、抗輻射能力強(qiáng)、易于集成。

    1．場效應(yīng)管實(shí)物照片。
    如表10-1所示是幾種場效應(yīng)管實(shí)物照片示意圖。
    表10-1  幾種場效應(yīng)管實(shí)物照片示意圖

          
    2．場效應(yīng)管種類解說
    絕緣柵場效應(yīng)管的柵極G與源極S、漏極D是絕緣的，因此稱它為絕緣柵場效應(yīng)管。
    (1)結(jié)型場效應(yīng)管用JFET  (Junction Field Effect Transistor)表示，結(jié)型場效應(yīng)管有兩個(gè)PN結(jié)。
    (2)絕緣柵場效應(yīng)管用JGFET(Junction Gate Field Effect Transistor)表示。絕緣柵場效應(yīng)管柵極與其他電極完全絕緣。在絕緣柵場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET），還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最新的rrMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。
    如表10-2所示是結(jié)型和絕緣柵場效應(yīng)管分類與結(jié)構(gòu)示意圖。
    表10-2結(jié)型和絕緣柵場效應(yīng)管分類與結(jié)構(gòu)示意圖