皮爾斯振蕩器電路
發(fā)布時(shí)間:2013/9/1 16:36:09 訪問次數(shù):2921
1.用 途
信號(hào)產(chǎn)生電路。
2.原 理
電路如圖1.4所示。基于RC/LC的振蕩器振蕩頻率可達(dá)20MHz,74HC00PW而晶體振蕩器主要用于數(shù)字電路和微處理器電路,它只可用
HCU門電路設(shè)計(jì),因?yàn)镠C和HCT門電路有緩沖器,不適合于作模擬放大電路。這個(gè)電路使用了74HCU04其中一個(gè)反相器(非門),反相器使相位改變180。。若將晶體換成電感,電路就變成了考比茨振蕩器。
若振蕩頻率大于4MHz,則R2換成33pF的電容。
圖1.4皮爾斯振蕩器電路
精確的晶體振蕩器
1.用 途
信號(hào)產(chǎn)生電路。
2.原 理
電路如圖1.5所示。設(shè)計(jì)晶體振蕩器時(shí)確保有源器件的電容最小,因?yàn)榫w振蕩器上任何寄生電容在某種程度上都會(huì)影響到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。雖然并聯(lián)電容能夠減小寄生電容的影響,但是必須使用
損耗小、溫度系數(shù)很低的高品質(zhì)電容。這個(gè)皮爾斯晶體振蕩器以自舉方式工作,MOS場效應(yīng)管T,的寄生電容僅lpF;射頻管T2、T。組成共射一共基放大器,T:型號(hào)為BF494,它的基極一發(fā)射極電容(0.15pF)和輸出容抗都非常小。振蕩信號(hào)由T.的S極(源極)送到T4,經(jīng)反相器N~N后輸出。調(diào)節(jié)電容C2可以微調(diào)振蕩頻率。
該電路的最高振蕩頻率為20MHz。
圖1.5晶體振蕩器電路
盡管晶振的功耗不會(huì)影響電路的穩(wěn)定性,但要限制其振幅。為了防止T,不穩(wěn)定,需調(diào)節(jié)R,的值,使T。發(fā)射極的信號(hào)幅度小于1Vv。
1.用 途
信號(hào)產(chǎn)生電路。
2.原 理
電路如圖1.4所示;赗C/LC的振蕩器振蕩頻率可達(dá)20MHz,74HC00PW而晶體振蕩器主要用于數(shù)字電路和微處理器電路,它只可用
HCU門電路設(shè)計(jì),因?yàn)镠C和HCT門電路有緩沖器,不適合于作模擬放大電路。這個(gè)電路使用了74HCU04其中一個(gè)反相器(非門),反相器使相位改變180。。若將晶體換成電感,電路就變成了考比茨振蕩器。
若振蕩頻率大于4MHz,則R2換成33pF的電容。
圖1.4皮爾斯振蕩器電路
精確的晶體振蕩器
1.用 途
信號(hào)產(chǎn)生電路。
2.原 理
電路如圖1.5所示。設(shè)計(jì)晶體振蕩器時(shí)確保有源器件的電容最小,因?yàn)榫w振蕩器上任何寄生電容在某種程度上都會(huì)影響到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。雖然并聯(lián)電容能夠減小寄生電容的影響,但是必須使用
損耗小、溫度系數(shù)很低的高品質(zhì)電容。這個(gè)皮爾斯晶體振蕩器以自舉方式工作,MOS場效應(yīng)管T,的寄生電容僅lpF;射頻管T2、T。組成共射一共基放大器,T:型號(hào)為BF494,它的基極一發(fā)射極電容(0.15pF)和輸出容抗都非常小。振蕩信號(hào)由T.的S極(源極)送到T4,經(jīng)反相器N~N后輸出。調(diào)節(jié)電容C2可以微調(diào)振蕩頻率。
該電路的最高振蕩頻率為20MHz。
圖1.5晶體振蕩器電路
盡管晶振的功耗不會(huì)影響電路的穩(wěn)定性,但要限制其振幅。為了防止T,不穩(wěn)定,需調(diào)節(jié)R,的值,使T。發(fā)射極的信號(hào)幅度小于1Vv。
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