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非易失控制器芯片

發(fā)布時間:2013/9/5 20:29:22 訪問次數(shù):684

    1.用  途
    RAM數(shù)據(jù)保護(hù)電路。
    2.原  理
    DS1210是DS公司一種RAM數(shù)據(jù)保護(hù)控制器,74HCT1G08GW它與鋰電池和CM()S RAM組合可以保存RAM數(shù)據(jù)很多年。該芯片的功能之一是向RAM供電,當(dāng)電源正常時,DS1210直接用電源給RAM供電,一旦電源失效,DS1210將RAM的供電切換到主電池上,當(dāng)主電池沒電時,該芯片還能夠切換到備用電池上,以確?煽勘4鍾AM上的數(shù)據(jù)。芯片內(nèi)部電子切換的電壓降小于0.3V。

            
    圖4. 21所示電路是該芯片的應(yīng)用之一。當(dāng)主電池電壓下降到2V以下時,DS1210禁止對RAM的所有讀和寫操作。只要電池有電,RAM上的數(shù)據(jù)將不會丟失。該電路可以用到一個現(xiàn)有設(shè)備中,其中,IC2是現(xiàn)有設(shè)備中需要保護(hù)的RAM插座。
     圖4. 21非易失控制器芯片

    1.用  途
    RAM數(shù)據(jù)保護(hù)電路。
    2.原  理
    DS1210是DS公司一種RAM數(shù)據(jù)保護(hù)控制器,74HCT1G08GW它與鋰電池和CM()S RAM組合可以保存RAM數(shù)據(jù)很多年。該芯片的功能之一是向RAM供電,當(dāng)電源正常時,DS1210直接用電源給RAM供電,一旦電源失效,DS1210將RAM的供電切換到主電池上,當(dāng)主電池沒電時,該芯片還能夠切換到備用電池上,以確?煽勘4鍾AM上的數(shù)據(jù)。芯片內(nèi)部電子切換的電壓降小于0.3V。

            
    圖4. 21所示電路是該芯片的應(yīng)用之一。當(dāng)主電池電壓下降到2V以下時,DS1210禁止對RAM的所有讀和寫操作。只要電池有電,RAM上的數(shù)據(jù)將不會丟失。該電路可以用到一個現(xiàn)有設(shè)備中,其中,IC2是現(xiàn)有設(shè)備中需要保護(hù)的RAM插座。
     圖4. 21非易失控制器芯片

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