在一種本征半導體中，有比較少的自由電子，兇此無論是硅還是鍺，RB521S30T1G在其本征狀態(tài)都沒有太大用處。純凈的半導體材料既不是絕緣體，也不是良導體，因為一種材料中的電流直接取決于自由電子的數(shù)目。
    圖16.8中給出的絕緣體、半導體和導體的能帶比較，一重疊說明了關于它們之間導電性的本質區(qū)別。絕緣體的能隙非常寬，任何電子都很難獲得足夠的能量跳人導帶。導體（如銅）中的價電子帶和導帶重疊，因此即使沒有外加能量，也總是有許多導電電子。半導體，如圖16. 8(b)所示，圖16.8  三種材料的能級圖  有一個比絕緣體中的能隙窄得多的能隙。

            
    n型半導體和p型半導體
    半導體材料的導電性不好，在其本征狀態(tài)，應用價值很小。這是兇為在其導帶中只有數(shù)目有限的自由電子，價電子帶的空穴數(shù)目也有限。必須通過增加自由電子和空穴的數(shù)量以提高其導電性，對本征硅（或鍺）晶體進行改進，以發(fā)揮其在電子器件中的作用。在本節(jié)中將學習，這種改進是通過向本征材料中添加雜質來完成的。兩種非本征（非純凈）半導體材料（N型和P型）是所有類型的電子器件的關鍵組成部件。