晶體管( transistor)是一種半導(dǎo)體器件，P87C524GFAA它根據(jù)第三端上的電流或電壓，對(duì)兩端之間的電流進(jìn)行控制，用于對(duì)電信號(hào)的放大或開關(guān)。雙極結(jié)型晶體管( BJT:Bipolar Junction Transistor)的基本結(jié)構(gòu)決定了其工作特性。直流偏置在晶體管電路中設(shè)置一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娏骰螂妷�，�?duì)于晶體管的工作非常重要。兩個(gè)重要的參數(shù)。
    在學(xué)完本節(jié)后，應(yīng)該能夠說明BJT的基本結(jié)構(gòu)和工作過程：
    ①解釋npn型晶體管和pnp型晶體管之間的差異。
    ②解釋晶體管的偏置。
    ③討論晶體管的各電流及其之間的關(guān)系。
    ④給出pIXi的定義。
    ⑤討論晶體管的各個(gè)電壓。
    ⑥計(jì)算一個(gè)基本晶體管電路中的直流偏置電流和電壓。
    BJT是由被兩個(gè)pn結(jié)分開的三塊摻雜半導(dǎo)體區(qū)構(gòu)成的，如圖17.l(a)中的外延平面結(jié)構(gòu)所示。三個(gè)區(qū)分別稱為發(fā)射區(qū)( emitter)、基區(qū)(base)和集電區(qū)(collector)。兩種雙極型晶體管的表示方法分別如圖17.1 (b)和(c)所示。一種由被一個(gè)p區(qū)分開的兩個(gè)n區(qū)組成(npn)，另一種是由被一個(gè)n區(qū)分開的兩個(gè)p區(qū)組成(pnp)。
    連接基區(qū)和發(fā)射區(qū)的pn結(jié)稱力基區(qū)一發(fā)射區(qū)結(jié)（發(fā)射結(jié)）(base-emitter junction)。連接基區(qū)和集電區(qū)的pn結(jié)稱為基區(qū)一集電區(qū)結(jié)（集電結(jié)）( base-collector j unction)，如圖17.l(b)所示。三個(gè)區(qū)的每一個(gè)區(qū)上都分別連接一個(gè)引腳，如圖所示。這些引腳分別用符號(hào)E、B、C標(biāo)記為發(fā)射極、基極和集電極。相對(duì)于摻雜較多的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)材料而言，基區(qū)材料的摻雜較少，而且很窄。

           
    圖17.2給出了npn和pnp雙極型晶體管的電路符號(hào)。注意發(fā)射極上有一個(gè)箭頭。術(shù)語雙極型(bipolar)指的是在該晶體管結(jié)構(gòu)中同時(shí)使用空穴和電子作為載流子。盡管npn和pnp型晶體管都得到了廣泛的應(yīng)用，但在本章中，將主要利用npn型晶體管對(duì)概念進(jìn)行介紹。