繼電器觸點(diǎn)回跳消除電路
發(fā)布時間:2007/8/24 0:00:00 訪問次數(shù):408
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)展已使集成電路(IC)能夠取代很多機(jī)械式繼電器,但在任意極性的高電壓大電流電路中,繼電器仍然占據(jù)主導(dǎo)地位。然而,這類繼電器的觸點(diǎn)回跳會給下游電路帶來麻煩。解決觸點(diǎn)回跳的一種辦法是把繼電器與一個熱插拔控制器結(jié)合起來。這種控制器在不關(guān)閉系統(tǒng)電源的情況下作為切換系統(tǒng)元件的手段,現(xiàn)在越來越流行。在圖 1 中,一個繼電器觸點(diǎn)取代機(jī)械連接器的引腳。驅(qū)動電路使繼電器閉合,而繼電器的閉合則將熱插拔電路的輸入端連接到電源(本例中為 28V)。在輸入電源達(dá)到有效電平之后熱插拔控制器 IC1 使 p 溝道MOSFET 即Q1 可保持關(guān)斷狀態(tài)最少達(dá) 150 ms。這段延遲時間足以使繼電器中的觸點(diǎn)回跳消失。在 150ms 延遲之后,IC1 驅(qū)動 MOSFET 柵極,使輸出電壓以 9V/ms 的速率擺動。這種受控的斜坡速率使起動電流減至最小,從而降低了對熱插拔控制器下游的電源、繼電器和電容器的應(yīng)力。
繼電器觸點(diǎn)回跳實(shí)例表明起動浪涌電流峰值約為 30A時出現(xiàn)3次觸點(diǎn)回跳(圖 2)。頂部曲線是單位為 10V/格的輸出電壓,下面曲線是單位為 5A/格的輸入電流,而輸出負(fù)載阻抗是與 100 μF 并聯(lián)的 54Ω。在這些條件下使用圖 1所示電路能得到更好的結(jié)果(圖 3)。輸出電壓的延遲上升顯而易見,沒有觸點(diǎn)回跳引起的間斷。輸入電流的變化大為減小,在穩(wěn)定于穩(wěn)態(tài)值 500 mA之前,其峰值不到 1.5A。
轉(zhuǎn)自 電子設(shè)計技術(shù)
作者:John Guy,Maxim Integrated Products,Sunnyvale,CA
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)展已使集成電路(IC)能夠取代很多機(jī)械式繼電器,但在任意極性的高電壓大電流電路中,繼電器仍然占據(jù)主導(dǎo)地位。然而,這類繼電器的觸點(diǎn)回跳會給下游電路帶來麻煩。解決觸點(diǎn)回跳的一種辦法是把繼電器與一個熱插拔控制器結(jié)合起來。這種控制器在不關(guān)閉系統(tǒng)電源的情況下作為切換系統(tǒng)元件的手段,現(xiàn)在越來越流行。在圖 1 中,一個繼電器觸點(diǎn)取代機(jī)械連接器的引腳。驅(qū)動電路使繼電器閉合,而繼電器的閉合則將熱插拔電路的輸入端連接到電源(本例中為 28V)。在輸入電源達(dá)到有效電平之后熱插拔控制器 IC1 使 p 溝道MOSFET 即Q1 可保持關(guān)斷狀態(tài)最少達(dá) 150 ms。這段延遲時間足以使繼電器中的觸點(diǎn)回跳消失。在 150ms 延遲之后,IC1 驅(qū)動 MOSFET 柵極,使輸出電壓以 9V/ms 的速率擺動。這種受控的斜坡速率使起動電流減至最小,從而降低了對熱插拔控制器下游的電源、繼電器和電容器的應(yīng)力。
繼電器觸點(diǎn)回跳實(shí)例表明起動浪涌電流峰值約為 30A時出現(xiàn)3次觸點(diǎn)回跳(圖 2)。頂部曲線是單位為 10V/格的輸出電壓,下面曲線是單位為 5A/格的輸入電流,而輸出負(fù)載阻抗是與 100 μF 并聯(lián)的 54Ω。在這些條件下使用圖 1所示電路能得到更好的結(jié)果(圖 3)。輸出電壓的延遲上升顯而易見,沒有觸點(diǎn)回跳引起的間斷。輸入電流的變化大為減小,在穩(wěn)定于穩(wěn)態(tài)值 500 mA之前,其峰值不到 1.5A。
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作者:John Guy,Maxim Integrated Products,Sunnyvale,CA
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