當柵一源電壓IUG。I>UP時，ULN2003APG溝道全部被夾斷，/D+一o，這時場效應管處于截止狀態(tài)。截止區(qū)處于輸出特性曲線圖的橫坐標軸附近。

    增強型NMOS管的UGS< UTN時，管子截止，/D～O。當UOS> UN時，管子導通，若UDS值較小，則工作于可變電阻區(qū)，D、S極之間相當于一個小值電阻RDScON);若UDS較大，則工作于恒流區(qū)，fD不隨UDS的變化而變化。管子的恒流區(qū)多用于模擬電路，而夾斷區(qū)和可變電阻區(qū)多用于數字電路。

    轉移特性曲線

    漏極電流fD和柵一源之間電壓UGS的關系稱為場效應管的轉移特性，fD較大時，南與Ucs的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs。

     轉移特性曲線用來描述UDS取一定值時，fD與UOs之間的關系曲線，它反映了柵一源電壓Ucs對咕的控制作用。場效應管的轉移特性曲線如圖8-12所示。

    由于轉移特性和輸出特性都是用來描述Uas. UDS及fD之間的關系的，所以轉移特性曲線可以根據輸出特性曲線繪出。

     轉移特性曲線可表示飽和區(qū)中fD與Uos的關系。在飽和區(qū)內，為可近似地表示為fD：fD。。1一Uos  (UP<UcS≤O)。式中，/DSS為Uos=0，UDS≥O咐的漏極電流，稱為飽和漏極電流。(a)N溝道結型場效應管轉移特性曲線(b)N溝道增強型MOS管轉移特性曲線(c)N溝道耗盡型MOS管轉移特性曲線。

   圖8-12場效應管的轉移特性曲線

   由轉移特性曲線可見，當UGS<UCS(th)時，導電溝道沒有形成，/D=O。當Uos≥Ucs cth，時，開始形成導電溝道，并隨著UGS的增大，導電溝道變寬，溝道電阻變小，電流而增大。