當(dāng)柵一源電壓IUG。I>UP時(shí)，ULN2003APG溝道全部被夾斷，/D+一o，這時(shí)場效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。截止區(qū)處于輸出特性曲線圖的橫坐標(biāo)軸附近。

    增強(qiáng)型NMOS管的UGS< UTN時(shí)，管子截止，/D～O。當(dāng)UOS> UN時(shí)，管子導(dǎo)通，若UDS值較小，則工作于可變電阻區(qū)，D、S極之間相當(dāng)于一個(gè)小值電阻RDScON);若UDS較大，則工作于恒流區(qū)，fD不隨UDS的變化而變化。管子的恒流區(qū)多用于模擬電路，而夾斷區(qū)和可變電阻區(qū)多用于數(shù)字電路。

    轉(zhuǎn)移特性曲線

    漏極電流fD和柵一源之間電壓UGS的關(guān)系稱為場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，fD較大時(shí)，南與Ucs的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs。

     轉(zhuǎn)移特性曲線用來描述UDS取一定值時(shí)，fD與UOs之間的關(guān)系曲線，它反映了柵一源電壓Ucs對(duì)咕的控制作用。場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖8-12所示。

    由于轉(zhuǎn)移特性和輸出特性都是用來描述Uas. UDS及fD之間的關(guān)系的，所以轉(zhuǎn)移特性曲線可以根據(jù)輸出特性曲線繪出。

     轉(zhuǎn)移特性曲線可表示飽和區(qū)中fD與Uos的關(guān)系。在飽和區(qū)內(nèi)，為可近似地表示為fD：fD。。1一Uos  (UP<UcS≤O)。式中，/DSS為Uos=0，UDS≥O咐的漏極電流，稱為飽和漏極電流。(a)N溝道結(jié)型場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線(b)N溝道增強(qiáng)型MOS管轉(zhuǎn)移特性曲線(c)N溝道耗盡型MOS管轉(zhuǎn)移特性曲線。

   圖8-12場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線

   由轉(zhuǎn)移特性曲線可見，當(dāng)UGS<UCS(th)時(shí)，導(dǎo)電溝道沒有形成，/D=O。當(dāng)Uos≥Ucs cth，時(shí)，開始形成導(dǎo)電溝道，并隨著UGS的增大，導(dǎo)電溝道變寬，溝道電阻變小，電流而增大。