BTG晶閘管的伏安特性如圖7-14所示。W78E51B圖中標(biāo)示出了它的幾個(gè)主要參數(shù)。坼為峰點(diǎn)電壓，是BTG晶閘管開(kāi)始出現(xiàn)負(fù)阻特性時(shí)陽(yáng)極A與陰極K之間的電壓。昂為峰點(diǎn)電流，是陽(yáng)極A與陰極K之間電壓達(dá)到UP時(shí)的A、K之間的電流，J、，通常為1～21.t,A。Uv是谷點(diǎn)電壓，是BTG晶閘，A魯篆餮盒矗開(kāi)始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)陽(yáng)極A與陰極K之間的電圖7-14 BTG晶閘管的伏安特性壓。凡為谷點(diǎn)電流，是A、K之間電壓達(dá)到Uv值時(shí)的陽(yáng)極電流。

   BTG晶閘管的伏安特性曲線和單結(jié)晶體管基本相同，但二者參數(shù)有差異。單結(jié)晶體管( UJT)的兩個(gè)基極電阻值Rbl和Rb2是由器件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)所決定的，器件一經(jīng)制成，其分壓比便固定不變。由于生產(chǎn)工藝上的原因，分壓比一般在0.3～0.8之間。鑒于BTG晶閘管的門(mén)極對(duì)地等效電阻RC=RIR2/ (R1+R2)自由可調(diào)，只需在外部改變風(fēng)、R2的電阻比，即可調(diào)整參數(shù)值，使應(yīng)用更加靈活，所以稱其為程控單結(jié)晶體管。BTG晶閘管與單結(jié)晶體管的另一個(gè)區(qū)別是前者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用N門(mén)極，與傳統(tǒng)的P門(mén)極不同，這種結(jié)枸不僅使BTG晶閘管可作為單結(jié)晶體管使用，還可作為晶閘管使用，所以，BTG晶閘管具有參數(shù)可調(diào)、觸發(fā)靈敏度高、脈沖上升時(shí)間短（約60ns）、漏電流小、輸出功率大等突出優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用來(lái)構(gòu)成可編程脈沖或鋸齒波發(fā)生器、長(zhǎng)延時(shí)器和過(guò)壓保護(hù)器及大功率晶體管的觸發(fā)電路。