日本半導(dǎo)體器件的命名法有如下特點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間:2014/2/12 20:52:52 訪問次數(shù):615
日本半導(dǎo)體器件的命名法有如下特點(diǎn)。
(1)型號(hào)中的第一部分是數(shù)字, 0603CT-24NX_LW表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如,用“1”表示二極管,用“2”表示三極管。屏蔽用的接地電極不是有效電路。
(2)第二部分均為字母S,表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品,而不表示材料和極性。
(3)第三部分表示器件的極性和類型。例如,用A表示PNP型高頻管,用J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
(4)第四部分只表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIAJ)注冊(cè)登記的順序號(hào),并不反映器件的性能。順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如,2SC2680朐最大額定耗散功率為200mW,而2SC2681型的最大額定耗散功率為100W。但是,順序號(hào)能反映產(chǎn)品投產(chǎn)時(shí)間的先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
(5)第六、七兩部分的符號(hào)和含義各公司不完全相同。
(6)日本有些半導(dǎo)體分立器件在外殼上標(biāo)注型號(hào)時(shí),常采用省略掉“2S”的簡(jiǎn)化標(biāo)記方法,如2SD764簡(jiǎn)化為D764。
(7)在低頻管類型(2SB和2SD)中,也有工作頻率很高的管子。例如,2SD355的特征頻率為100MHz,因此,不要誤認(rèn)為ZSB型和ZSD型管都只能做低頻用。其實(shí),fT(或fa、fb)很高的管子也可以做高頻用。
(8)日本通常習(xí)慣把Pcm等于或大于1W的管子稱為大功率管。
日本半導(dǎo)體器件的命名法有如下特點(diǎn)。
(1)型號(hào)中的第一部分是數(shù)字, 0603CT-24NX_LW表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如,用“1”表示二極管,用“2”表示三極管。屏蔽用的接地電極不是有效電路。
(2)第二部分均為字母S,表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品,而不表示材料和極性。
(3)第三部分表示器件的極性和類型。例如,用A表示PNP型高頻管,用J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
(4)第四部分只表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIAJ)注冊(cè)登記的順序號(hào),并不反映器件的性能。順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如,2SC2680朐最大額定耗散功率為200mW,而2SC2681型的最大額定耗散功率為100W。但是,順序號(hào)能反映產(chǎn)品投產(chǎn)時(shí)間的先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
(5)第六、七兩部分的符號(hào)和含義各公司不完全相同。
(6)日本有些半導(dǎo)體分立器件在外殼上標(biāo)注型號(hào)時(shí),常采用省略掉“2S”的簡(jiǎn)化標(biāo)記方法,如2SD764簡(jiǎn)化為D764。
(7)在低頻管類型(2SB和2SD)中,也有工作頻率很高的管子。例如,2SD355的特征頻率為100MHz,因此,不要誤認(rèn)為ZSB型和ZSD型管都只能做低頻用。其實(shí),fT(或fa、fb)很高的管子也可以做高頻用。
(8)日本通常習(xí)慣把Pcm等于或大于1W的管子稱為大功率管。
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