附圖20-17所示是壓敏TA48108BF電阻器等效電路等效電路中，Rn是晶界電阻，C是晶界電容，Rb是晶粒電阻。

   附圖20-17壓敏電阻器等效電路

   附圖20-18是壓敏電阻器伏．安特性曲線中的3個(gè)工作區(qū)示意圖，它的3個(gè)工作區(qū)包括預(yù)擊穿區(qū)、擊穿區(qū)和上升區(qū)。

    附圖20-18壓敏電阻器伏．安特性曲線中的

    3個(gè)工作區(qū)示意圖

   (1)預(yù)擊穿區(qū)。在預(yù)擊穿區(qū)域內(nèi)，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，因此壓敏電阻器相當(dāng)于一個(gè)10MQ以上的絕緣電阻，這時(shí)通過(guò)壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級(jí)，壓敏電阻器可看作為開(kāi)路。該區(qū)域是電路正常運(yùn)行時(shí)壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

   在這個(gè)區(qū)，晶界電阻值遠(yuǎn)大于晶粒電阻值。

   (2)擊穿區(qū)。壓敏電阻器兩端施加一個(gè)大干壓敏電壓的過(guò)電壓時(shí)，壓敏電阻器端電壓的微小變化就可引起電流的急劇變化，壓敏電阻器正是用這一特性來(lái)抑制過(guò)電壓幅值和吸收或對(duì)地釋放過(guò)電壓引起的浪涌能量。

   在這個(gè)區(qū)，晶界電阻值與晶粒電阻值大小相當(dāng)。

   (3)上升區(qū)。當(dāng)過(guò)電壓很大，通過(guò)壓敏電阻器的電流約大于lOOA／cIri2咐，壓敏電阻器的伏．安特性呈線性電導(dǎo)特性，在上升區(qū)電流與電壓幾乎呈線性關(guān)系（仁U/R。），壓敏電阻器在該區(qū)域已經(jīng)劣化，失去了其抑制過(guò)電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。

    在這個(gè)區(qū)，晶界電阻值幾乎不變。