以電場控制電流為工作原理的晶體管為場效應晶體管，簡稱FET

（field effect transistor的縮寫）。LM2576SX-5.0如圖3.76所示其內部形成PN結，擁有D、S、G三個端子。這三個端子分別稱作漏極、源極、柵極。如圖3. 77所示，若漏極一源極之間外加電壓，則流通電流JD。接下來如圖3. 78所示，在柵極一源極之間外加反向電壓，則耗盡層擴大，電流的通道（溝道）變窄，所以電流受到限制。電流ID稱為漏極電流，通過變化柵極一源極之間的電壓可以改變。

    FET的種類和特點

   如圖3. 79所示，溝道為N型半導體的FET稱為N溝道FET，溝

道為P型半導體的FET稱為P溝道FET。在普通的晶體管中，電流

由電子與空穴搬運，因其“具有兩種極性”所以稱之為雙極型晶體管。與此相比，F(xiàn)ET中N溝道型是由電子、P溝道型是由空穴來搬運電流的，因此也稱之為單極晶體管。

     普通的晶體管為電流控制型元件。與此相反，F(xiàn)ET為電壓控制型元件。FET具有輸入阻抗高、噪聲小的特點。在圖3.76中，柵極使用的是PN結因此稱為結型FET。與此相比，在半導體的表面制備一層絕緣性能很好的非常薄的氧化絕緣膜( Si02)，在此之上蒸鍍金屬而構成柵極的場效應管稱為MOS型FET。這里所指的蒸鍍是金屬在真空中加熱、熔解后金屬蒸發(fā)，附著于半導體的表面從而形成薄膜。MOS為metal-oxide semiconductor的縮寫，其含義為金屬氧化物半導體。