在頻率約lookHz以上，FDC645N或電纜的長(zhǎng)度超過(guò)波長(zhǎng)的二十分之一時(shí)，需要屏蔽層兩端接地。對(duì)多導(dǎo)體電纜和同軸電纜都是如此。高頻引發(fā)的另一個(gè)問(wèn)題是雜散電容導(dǎo)致形成接地環(huán)路，如圖2-47所示，使得屏蔽的非終止端與地Vs隔離很難或者不可能。

   因此，在高頻和數(shù)字電路中，通常的做法是電纜屏蔽層兩端接地。由地電位差引起的任何小噪聲電壓會(huì)耦合進(jìn)入電路（主要是電源電纜屏蔽層和外部地之間形成的環(huán)路。線頻率及其諧波）不會(huì)影響數(shù)字電路，并且通�？梢詮纳漕l電路濾出，這是由于噪聲和信號(hào)之間很大的頻率差。在1MHz以上的頻率，趨膚效應(yīng)減少了信號(hào)和流經(jīng)屏蔽層的噪聲電流的共阻抗耦合。趨膚效應(yīng)使噪聲電流流過(guò)屏蔽層外表面，信號(hào)電流流過(guò)屏蔽層內(nèi)表面。多點(diǎn)接地在高于屏蔽層截止頻率的頻段也提供磁場(chǎng)屏蔽。