完全包圍著一個產(chǎn)品（一個法拉第籠）的完整屏蔽可以是任何電位， RFD16N03L但仍能提供有效的屏蔽。也就是說，可以防止外部的電磁場影響屏蔽體內(nèi)的電路，反之亦然。因數(shù)屏蔽不需要接地，也不需要以任何方式定義它的電位以起屏蔽作用。但是在大多數(shù)情況飛，，屏蔽應(yīng)連接到電路公共端，以防止屏蔽體和屏蔽機(jī)殼內(nèi)電路之間任何的電位差。

   然而，在很多實際應(yīng)用中，因為其他的原因屏蔽應(yīng)接地。如果產(chǎn)品切斷交流電源(AC)，接地是一個安全的要求。接地的屏蔽提供一個故障電流返回的路徑，使斷路器跳閘而使設(shè)備斷開電源，保證了產(chǎn)品的安全。接地也可以防止屏蔽體上積聚靜電。

   無論屏蔽接地與否，一個系統(tǒng)的所有金屬部分電氣上應(yīng)搭按在一起。每個部分都應(yīng)該低阻抗連接到其他金屬部件，最好是至少在兩個地方。如果有一層導(dǎo)電涂層，螺釘可用于搭接這些部分。另外，星形襯墊或螺紋切削螺釘可用于穿過沒有導(dǎo)電性的涂料和面漆。

   ·所有進(jìn)出屏蔽罩的電纜都應(yīng)該被屏蔽和濾波。

   ·進(jìn)入屏蔽罩的屏蔽電纜應(yīng)該把屏蔽層搭接到屏蔽罩上。

   ·電場和平面波的反射損耗大。

   ·低頻磁場的反射損耗通常小。

   ·一個趨膚深度厚的屏蔽大約提供9dB的吸收損耗。

   ·反射損耗隨頻率升高而降低。

   ·吸收損耗隨頻率升高而增大。

   ·屏蔽磁場難于屏蔽電場。

   ·使用高相對磁導(dǎo)率材料屏蔽低頻磁場。

   ·使用高導(dǎo)電材料屏蔽電場、平面波和高頻磁場。

   ·吸收損耗是磁導(dǎo)率和電導(dǎo)率乘積的平方根的函數(shù)。

   ·反射損耗是電導(dǎo)率除以磁導(dǎo)率的函數(shù)。

   ·屏蔽材料的磁導(dǎo)率增大，吸收損耗增大，反射損耗減小。

   ·孑L隙控制是高頻屏蔽的關(guān)鍵。

   ·孔隙的最大線尺寸而不是面積決定了泄漏量。

   ·為了減小泄漏，屏蔽罩接縫間必須保持電接觸。

   ·屏蔽效果與4L隙數(shù)量的平方根成正比下降。

   ·大于1MHz，大多數(shù)屏蔽材料以吸收損耗為主。

   ·低頻屏蔽效果主要取決于屏蔽材料。

   ·在導(dǎo)電涂層塑料殼上，孔隙控制和在金屬屏蔽殼上一樣重要。

   ·屏蔽不僅在外殼級做，也可以在模塊級和PCB級做。

   ·屏蔽不一定要接地才有效。