一個(gè)3. 3V的電源給兩個(gè)CMOS門(mén)供電，對(duì)于一個(gè)有500ps上升時(shí)間的CMOS器件，HEF4051BT瞬態(tài)負(fù)載電流的幅度是多少？假設(shè)每個(gè)CMOS門(mén)的輸入電容是lOpF。

   列舉三種可能導(dǎo)致輻射發(fā)射的無(wú)效去耦機(jī)制。

   與去耦電容串聯(lián)的三種電感的源是什么？

   決定在較高頻率去耦有效的兩個(gè)因素是什么？

   什么決定去耦在最低頻率有效？

   對(duì)于一個(gè)IC，當(dāng)確定總?cè)ヱ铍娙葑钚≈禃r(shí)必須滿(mǎn)足的兩個(gè)條件是什么？

    用于一個(gè)IC的去耦電容的最小數(shù)量是多少？為什么？

    對(duì)于有效并聯(lián)多個(gè)電容的兩個(gè)要求是什么？

    列舉使用多個(gè)等值電容去耦的三個(gè)好處。

    如果使用不等值的去耦電容，對(duì)于問(wèn)題11.9的三個(gè)答案中哪個(gè)不適用？

    當(dāng)使用不等值的去耦電容時(shí)會(huì)產(chǎn)生什么問(wèn)題？

    希望在高于1MHz的所有頻率，對(duì)一個(gè)具有3ns切換速度的數(shù)字IC能夠有效去耦。

   用一個(gè)lOOmfl的低頻目標(biāo)阻抗，并且假設(shè)每個(gè)電容有5nH的電感與之串聯(lián)。

    a．必須要用多少等值離散電容？

    b．每個(gè)去耦電容的最小值是多少？

    在3.3V電源激勵(lì)下，一個(gè)大微處理器產(chǎn)生10A的總瞬態(tài)電流。邏輯具有Ins的上升／下降時(shí)間。希望限制Vcc對(duì)地噪聲電壓峰值為250mV，且每個(gè)去耦電容有5nH的電感與之串聯(lián)。去耦將在多個(gè)等值電容的條件下進(jìn)行，并且要在高于20MHz的所有頻率都有效。

   a．畫(huà)一個(gè)目標(biāo)阻抗隨頻率的變化圖。

   b．所需去耦電容的最小數(shù)量是多少？

   c．對(duì)于每個(gè)單獨(dú)去耦電容的最小值是多少？

   d．用較大值的電容只是為了有效嗎？

    Ins肉IC產(chǎn)生1A的瞬態(tài)電源電流。為了防止電源電壓減小量多于0.1V，所需去耦電容的最小值是多少？

    一個(gè)10×12in的嵌入式電容FR-4環(huán)氧玻璃PCB有一個(gè)500pF／in2的電源對(duì)地平面電容。邏輯電路的上升時(shí)間是300ps。有效層間去耦電容是多少？假設(shè)來(lái)自去耦電容的電荷必須在上升時(shí)間內(nèi)到達(dá)IC。