傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試過(guò)程中， SN74HCT02DR為了在150kHz～30MHz的頻率范圍內(nèi)，在產(chǎn)品的電源線終端呈現(xiàn)一個(gè)已知的阻抗，需要在產(chǎn)品和實(shí)際電源線之間設(shè)置一個(gè)線阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)( LISN)+。一個(gè)LISN插入電源線的火線，另一個(gè)插入電源線的中線。三相電源線上必須用三個(gè)LISN。

   大部分傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試中所用的50tLHLISN的電路如圖13-2所示。LISN電源線側(cè)的lvF電容C：短路了實(shí)際電源線不穩(wěn)定的阻抗以使其不影響測(cè)量結(jié)果。50ptH的電感Li提供了一個(gè)與圖13-1所示的電源線阻抗測(cè)量相似的隨頻率增加的阻抗。

   圖13 -2  用于傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試的一個(gè)50luH LISN的電路

   電容Cl被用于耦合傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量設(shè)備到電源線。當(dāng)LISN斷開(kāi)電源線時(shí)，1000,0電阻R．使LISN電容放電。以防止LISN中充電的電容造成電擊危險(xiǎn)。測(cè)量設(shè)備(頻譜分析儀或射頻(RF)接收器）設(shè)置為50Q和電阻Ri分流以限制LISN的阻抗隨頻率增加。重要的是要意識(shí)到測(cè)量設(shè)備50Q的輸入阻抗實(shí)際是LISN限抗的一部分。

   從LISN的被測(cè)設(shè)備(EUT)端口看進(jìn)去的阻抗如圖13-3所示�？梢钥闯�，在0.15～30MHz頻率范圍內(nèi)的大部分頻率上阻抗值接近于48Q“。只是低于500kHz，阻抗明顯下降的低于這個(gè)值。

    LISN的阻抗隨頻率增加是由LISN的50tlH電感產(chǎn)生的。從圖13-1可以看出LISN的阻抗與實(shí)際測(cè)量電源線阻抗的平均值接近。結(jié)果，當(dāng)進(jìn)行傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量時(shí)，這是所用標(biāo)準(zhǔn)阻抗的一個(gè)很好的選擇。因?yàn)閺?00kHz～30MHz的絕大部分頻率范圍內(nèi)LISN的阻抗接近于50\Q，所以LISN經(jīng)常模擬為一個(gè)50Q的電阻。