組成自激多諧振蕩器
發(fā)布時(shí)間:2014/7/16 20:24:47 訪問次數(shù):621
按圖3. 81所示進(jìn)行連接,M112B1即被連成一個(gè)自激多諧振蕩器電路,此電路的工作過程與單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器工作過程不同之處是電路沒有穩(wěn)態(tài),僅存在兩個(gè)暫穩(wěn)態(tài),電路不需要外加觸發(fā)信號(hào),利用電源通過R.,R。向C充電,以及C通過R。向放電端C。放電,使電路產(chǎn)生振蕩。輸出信號(hào)的時(shí)間參數(shù)為
T= Ti+T2
其中T,一0.7(R.+R。)C(正脈沖寬度),T:一0.7R2 C(負(fù)脈沖寬度),T=O. 7(R.+2Rz )C。
555電路要求R。與Rz均應(yīng)大于或等于1 kQ,但(R1+R2)應(yīng)小于或等于3.3MQ。
在圖3. 81所示電路中接人部分元件,可以構(gòu)成下述電路。
①若在電阻R:上并接一只二極管(2AP3),并取Ri~R:,電路可以輸出接近方波的信號(hào)。
②在C與Rz連接點(diǎn)和TR與TH連接點(diǎn)之間的連接線上,串接人一個(gè)如圖3.81歷示的晶體網(wǎng)絡(luò),電路便成為一個(gè)晶體振蕩器。晶體網(wǎng)絡(luò)中1 MQ電阻器作直流通路用,并聯(lián)電容用來微調(diào)振蕩器的頻率。只要選擇R.,R。和C,使在晶體網(wǎng)絡(luò)接入之前,電路振蕩在晶體的基頻(或諧頻)的穩(wěn)定振蕩信號(hào)。
圖3. 82是又一形式的由555構(gòu)成的多諧振蕩器電路,隨著充放電電容C.、C2分別接大、小電容量,555定時(shí)器還可分別輸出低頻段(零點(diǎn)幾赫茲到十幾赫茲)和高頻段(幾十千赫茲到幾百千赫茲)的信號(hào),必要時(shí)可增加并聯(lián)電容來增加頻段。調(diào)節(jié)圖中的RW,、RW2旋鈕,可分別調(diào)節(jié)輸出波形的寬度和頻率。圖中R。、R。通常選幾千歐,R,、R4通常選幾十千歐,RW,選幾百千歐,RW:選幾十千歐。
按圖3. 81所示進(jìn)行連接,M112B1即被連成一個(gè)自激多諧振蕩器電路,此電路的工作過程與單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器工作過程不同之處是電路沒有穩(wěn)態(tài),僅存在兩個(gè)暫穩(wěn)態(tài),電路不需要外加觸發(fā)信號(hào),利用電源通過R.,R。向C充電,以及C通過R。向放電端C。放電,使電路產(chǎn)生振蕩。輸出信號(hào)的時(shí)間參數(shù)為
T= Ti+T2
其中T,一0.7(R.+R。)C(正脈沖寬度),T:一0.7R2 C(負(fù)脈沖寬度),T=O. 7(R.+2Rz )C。
555電路要求R。與Rz均應(yīng)大于或等于1 kQ,但(R1+R2)應(yīng)小于或等于3.3MQ。
在圖3. 81所示電路中接人部分元件,可以構(gòu)成下述電路。
①若在電阻R:上并接一只二極管(2AP3),并取Ri~R:,電路可以輸出接近方波的信號(hào)。
②在C與Rz連接點(diǎn)和TR與TH連接點(diǎn)之間的連接線上,串接人一個(gè)如圖3.81歷示的晶體網(wǎng)絡(luò),電路便成為一個(gè)晶體振蕩器。晶體網(wǎng)絡(luò)中1 MQ電阻器作直流通路用,并聯(lián)電容用來微調(diào)振蕩器的頻率。只要選擇R.,R。和C,使在晶體網(wǎng)絡(luò)接入之前,電路振蕩在晶體的基頻(或諧頻)的穩(wěn)定振蕩信號(hào)。
圖3. 82是又一形式的由555構(gòu)成的多諧振蕩器電路,隨著充放電電容C.、C2分別接大、小電容量,555定時(shí)器還可分別輸出低頻段(零點(diǎn)幾赫茲到十幾赫茲)和高頻段(幾十千赫茲到幾百千赫茲)的信號(hào),必要時(shí)可增加并聯(lián)電容來增加頻段。調(diào)節(jié)圖中的RW,、RW2旋鈕,可分別調(diào)節(jié)輸出波形的寬度和頻率。圖中R。、R。通常選幾千歐,R,、R4通常選幾十千歐,RW,選幾百千歐,RW:選幾十千歐。
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