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Multisim仿真電路與ELVIS原型電路的分析比較

發(fā)布時(shí)間:2014/10/14 20:07:31 訪問次數(shù):1146

   在上一節(jié)中, H5120NL為讀者簡(jiǎn)單介紹了在Multisim中建立仿真電路的方法。在實(shí)際應(yīng)用中,用戶可以首先在Multisim中建立仿真電路,然后按照自身需求隨意來設(shè)置電路元件的參數(shù)——比如電容容量、電阻數(shù)值等,待仿真電路的功能達(dá)剄要求后,用戶可以在ELVIS的面包板上搭建與Multisim仿真電路相同的原型實(shí)驗(yàn)電路,通過ELVIS硬件平臺(tái)和相關(guān)的虛擬儀器,用戶可以觀測(cè)實(shí)際電路是否也可以達(dá)到功能要求。一般情況下,仿真電路的性能與實(shí)際原型電

路的性能不會(huì)有太大的差異,因此Multisim和ELVIS的聯(lián)合使用可以極大地提高用戶的工作效率。

 本節(jié)中首先在Multisim中建立如圖6-8所示的電路,Multisim中的虛擬函數(shù)發(fā)生器XFG1的使用方法請(qǐng)讀者參考第1章中相關(guān)內(nèi)容。本例中將XFG1設(shè)置成一個(gè)輸出頻率為50Hz、幅度為5V的正弦波的裝置,具體參數(shù)設(shè)置如圖6-9所示。為了能與ELVIS上的硬件電路保持一致,本例沒有采用220V的電壓,因?yàn)镋LVIS上所允許的最大電壓為60V,超過60V的電壓輸入到ELVIS后,1必須加隔離裝置以保護(hù)ELVIS不被損壞,實(shí)際使用中,最好不要將過大的電壓輸入到ELVIS上。

    



   在上一節(jié)中, H5120NL為讀者簡(jiǎn)單介紹了在Multisim中建立仿真電路的方法。在實(shí)際應(yīng)用中,用戶可以首先在Multisim中建立仿真電路,然后按照自身需求隨意來設(shè)置電路元件的參數(shù)——比如電容容量、電阻數(shù)值等,待仿真電路的功能達(dá)剄要求后,用戶可以在ELVIS的面包板上搭建與Multisim仿真電路相同的原型實(shí)驗(yàn)電路,通過ELVIS硬件平臺(tái)和相關(guān)的虛擬儀器,用戶可以觀測(cè)實(shí)際電路是否也可以達(dá)到功能要求。一般情況下,仿真電路的性能與實(shí)際原型電

路的性能不會(huì)有太大的差異,因此Multisim和ELVIS的聯(lián)合使用可以極大地提高用戶的工作效率。

 本節(jié)中首先在Multisim中建立如圖6-8所示的電路,Multisim中的虛擬函數(shù)發(fā)生器XFG1的使用方法請(qǐng)讀者參考第1章中相關(guān)內(nèi)容。本例中將XFG1設(shè)置成一個(gè)輸出頻率為50Hz、幅度為5V的正弦波的裝置,具體參數(shù)設(shè)置如圖6-9所示。為了能與ELVIS上的硬件電路保持一致,本例沒有采用220V的電壓,因?yàn)镋LVIS上所允許的最大電壓為60V,超過60V的電壓輸入到ELVIS后,1必須加隔離裝置以保護(hù)ELVIS不被損壞,實(shí)際使用中,最好不要將過大的電壓輸入到ELVIS上。

    



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10-14Multisim仿真電路與ELVIS原型電路的分析比較
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