電渦流的徑向形成范圍線圈一導(dǎo)體系統(tǒng)產(chǎn)生的電渦流密度既是線圈與導(dǎo)體間距離石的函數(shù)，G4PC40K又是沿線圈半徑方向r的函數(shù)。當(dāng)x-定時(shí)，電渦流密度t，與半徑r的關(guān)系曲線如圖3-22所示。

   圖3-22電渦流密度I，與半徑r的關(guān)系曲線

   圖中厶為金屬導(dǎo)體表面電渦流密度，即電渦流密度最大值。Jr為半徑r處的金屬導(dǎo)體表面電渦流密度。由圖3-22可知：

   @電渦流徑向形成的范圍大約在傳感器線圈外徑r。。的1.8~2.5倍范圍內(nèi)，且分布木均勻。

   @電渦流密度在短路環(huán)半徑r =0處為零。

   @電渦流的最大值在附近的一個(gè)狹窄區(qū)域內(nèi)。

   @可以用一個(gè)平均半徑為的短路環(huán)來集中表示分散的電渦流（圖中陰影部分）。