必須注意電容器漏電流的影響
發(fā)布時(shí)間:2014/11/6 21:02:06 訪問次數(shù):798
在圖6-11 (a)所示電路中用一個(gè)運(yùn)算放大器進(jìn)行差動(dòng)放大,由于R2的電阻值比較大,ADUM1200BRZ-RL7因此必須注意電容器漏電流的影響。電容器的漏電流,。會(huì)在R2上產(chǎn)生,。.R2的電壓降,這個(gè)電壓降作為不平衡電壓,將影響Uo。.的穩(wěn)定性,為了降低這種影響,必須選用漏電流比較小的電容器。由于霍爾傳感器工作電壓的50%加在了C2上,因此C2上的漏電流相對來講就比較大;而在C.上就幾乎沒有電流流過。這種C2和Cl上漏電流的差異,通過差分放大器就表現(xiàn)為不平衡電壓。在圖6-11 (b)所示電路中用3個(gè)運(yùn)算放大器進(jìn)行差動(dòng)放大,C2和C.上漏電流相同,因此漏電流的影響得以減少。在圖6-11 (c)所示電路中同樣用3個(gè)運(yùn)算放大器進(jìn)行差動(dòng)放大,由于幾乎沒有直流電壓加到電容器上,大約只有霍爾傳感器輸出電壓的大小,即數(shù)毫伏至數(shù)百毫伏,因而漏電流非常小,而且放大器的輸入電阻也變成了非常大的值。
在圖6-11 (a)所示電路中用一個(gè)運(yùn)算放大器進(jìn)行差動(dòng)放大,由于R2的電阻值比較大,ADUM1200BRZ-RL7因此必須注意電容器漏電流的影響。電容器的漏電流,。會(huì)在R2上產(chǎn)生,。.R2的電壓降,這個(gè)電壓降作為不平衡電壓,將影響Uo。.的穩(wěn)定性,為了降低這種影響,必須選用漏電流比較小的電容器。由于霍爾傳感器工作電壓的50%加在了C2上,因此C2上的漏電流相對來講就比較大;而在C.上就幾乎沒有電流流過。這種C2和Cl上漏電流的差異,通過差分放大器就表現(xiàn)為不平衡電壓。在圖6-11 (b)所示電路中用3個(gè)運(yùn)算放大器進(jìn)行差動(dòng)放大,C2和C.上漏電流相同,因此漏電流的影響得以減少。在圖6-11 (c)所示電路中同樣用3個(gè)運(yùn)算放大器進(jìn)行差動(dòng)放大,由于幾乎沒有直流電壓加到電容器上,大約只有霍爾傳感器輸出電壓的大小,即數(shù)毫伏至數(shù)百毫伏,因而漏電流非常小,而且放大器的輸入電阻也變成了非常大的值。
上一篇:霍爾元件的補(bǔ)償電路
熱門點(diǎn)擊
- 波瓣寬度
- 參考電極定律
- CCD的基本功能是存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)移信號電荷
- Imped被用來測量一個(gè)電路或者元件的阻抗數(shù)
- 接觸電勢接觸電勢
- NI ELVIS原型實(shí)驗(yàn)板組成部分簡介
- FAS
- 切換偏置和滯后參數(shù)
- ELVIS使用方法簡介
- 寬帶直放站、選頻直放站和選帶直放站
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究