光生伏特效應(yīng)：在光HCF4051BE線(xiàn)作用下能夠使物體產(chǎn)生一定方向電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)為光生伏特效應(yīng)。基于該效應(yīng)工作的器件有光電池和光敏晶體管等。

   @勢(shì)壘效應(yīng)（結(jié)光電效應(yīng)）：接觸的半導(dǎo)體和PN結(jié)中，當(dāng)光線(xiàn)照射其接觸區(qū)域時(shí)，便引起光電動(dòng)勢(shì)，這就是結(jié)光電效應(yīng)。以PN結(jié)為例，當(dāng)光線(xiàn)照射PN結(jié)時(shí)，設(shè)光子能量大于禁帶寬度E。，使價(jià)帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生電子一空穴對(duì)，在阻擋 層內(nèi)電場(chǎng)的作用下，被光激發(fā)的電子移向N區(qū)外側(cè)，被光激發(fā)的空穴移向P區(qū)外側(cè)，從而使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負(fù)電，形成光電動(dòng)勢(shì)。

   @側(cè)向光電效應(yīng)：當(dāng)半導(dǎo)體光電器件受光照不均勻時(shí)，由于載沆子濃度存在梯度，將會(huì)產(chǎn)生側(cè)向光電效應(yīng)。當(dāng)光照部分吸收入射光子的能量產(chǎn)生電子一空穴對(duì)時(shí)，光照部分栽流子濃度比未受光照部分的載流子濃度大，出現(xiàn)載流子濃度梯度，因而載流子要擴(kuò)散。如果電子的遷移率比空穴的大，那么空穴的擴(kuò)散不明顯，則電子向未被光照部分?jǐn)U散，就造成光照射的部分帶正電，未被光照射的部分帶負(fù)電，光照部分與未被光照部分產(chǎn)生光電勢(shì)。