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電路原理與設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2014/11/16 19:04:46 訪問次數(shù):691

   傳感器模型建立

   霍爾傳感器是基于霍爾效應(yīng)的傳感器,其物理特性用公式表示為

     UH= KHIB    (16-1)

   式中,U。為霍爾電壓;KH為霍爾元件靈敏度;,為控制電流;B為垂直于霍爾元件表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度。

   兩塊相對(duì)放置的磁鐵間形成磁場(chǎng),ADM202EARN當(dāng)物體在沿垂直于磁場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)時(shí),由于在一定的測(cè)量范圍內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度與位移的關(guān)系是近似線性的,所以輸出電壓與位移也存在線牲關(guān)系。

   圖16—1所示為實(shí)際霍爾傳感器測(cè)量位移的特性,可見當(dāng)位移在-0.6~0.6mm之間時(shí),電壓一位移關(guān)系近似線性。對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,由于實(shí)際數(shù)據(jù)是經(jīng)過放大后的數(shù)據(jù),所以在擬合前要將數(shù)據(jù)除以放大倍數(shù)。擬合后的數(shù)學(xué)表達(dá)式為

    UH =151. 7155X    (16-2)

   式中,UH為霍爾元件輸出電壓,單位為mV,X為被測(cè)位移量,單位為mm。

        

   由以上分析可知,霍爾位移傳感器只在很小的范圍內(nèi)呈線性,所以它是用來測(cè)量微小位移的。在Multisim中建立的霍爾傳感器模型如圖16 -2所示(圖中1、2為激勵(lì)電極,3、4為霍爾電極),它的測(cè)量范圍是-0.6~0.6mm。在圖中V.可模擬位移,壓控電壓源V,模擬霍爾元件隨位移而變化的輸出電壓UH。


   傳感器模型建立

   霍爾傳感器是基于霍爾效應(yīng)的傳感器,其物理特性用公式表示為

     UH= KHIB    (16-1)

   式中,U。為霍爾電壓;KH為霍爾元件靈敏度;,為控制電流;B為垂直于霍爾元件表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度。

   兩塊相對(duì)放置的磁鐵間形成磁場(chǎng),ADM202EARN當(dāng)物體在沿垂直于磁場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)時(shí),由于在一定的測(cè)量范圍內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度與位移的關(guān)系是近似線性的,所以輸出電壓與位移也存在線牲關(guān)系。

   圖16—1所示為實(shí)際霍爾傳感器測(cè)量位移的特性,可見當(dāng)位移在-0.6~0.6mm之間時(shí),電壓一位移關(guān)系近似線性。對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,由于實(shí)際數(shù)據(jù)是經(jīng)過放大后的數(shù)據(jù),所以在擬合前要將數(shù)據(jù)除以放大倍數(shù)。擬合后的數(shù)學(xué)表達(dá)式為

    UH =151. 7155X    (16-2)

   式中,UH為霍爾元件輸出電壓,單位為mV,X為被測(cè)位移量,單位為mm。

        

   由以上分析可知,霍爾位移傳感器只在很小的范圍內(nèi)呈線性,所以它是用來測(cè)量微小位移的。在Multisim中建立的霍爾傳感器模型如圖16 -2所示(圖中1、2為激勵(lì)電極,3、4為霍爾電極),它的測(cè)量范圍是-0.6~0.6mm。在圖中V.可模擬位移,壓控電壓源V,模擬霍爾元件隨位移而變化的輸出電壓UH。


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