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英特爾:未來(lái)5年閃存強(qiáng)勁依舊 OUM問(wèn)題在成本

發(fā)布時(shí)間:2007/8/28 0:00:00 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):650

美國(guó)英特爾是手機(jī)閃存EEPROM的最大供應(yīng)商。迄今為止,該公司憑借NOR型EEPROM的細(xì)微化及多值化,一直領(lǐng)先于業(yè)界、保持著強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。關(guān)于該公司全力推進(jìn)的NOR型EEPROM,以前就有傳言說(shuō)加工工藝水平已達(dá)極限,國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體廠商正在競(jìng)相開(kāi)發(fā)替代存儲(chǔ)器。英特爾本身也在開(kāi)發(fā)NOR型EEPROM的同時(shí),大力開(kāi)發(fā)相變化存儲(chǔ)器“OUM”。日前記者就技術(shù)開(kāi)發(fā)的最新情況,采訪(fǎng)了英特爾負(fù)責(zé)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器等技術(shù)開(kāi)發(fā)的Stefan K. Lai(Vice President,Technology & Mfg. Group,Director,California Technology & Mfg.,Communication Technology)。

2004年以90nm工藝、2006年以65nm工藝量產(chǎn)

為了替代閃存EEPROM,F(xiàn)eRAM及MRAM等各種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)正在順利推進(jìn)。但是,至少在今后5年內(nèi),在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器市場(chǎng),NOR型閃存EEPROM及NAND型閃存EEPROM仍將是主流。關(guān)于本公司從事的NOR型閃存EEPROM,至少在2006年的65nm工藝之前“穆?tīng)柗▌t”仍將成立。非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的穆?tīng)柗▌t意味著在兩年內(nèi)將生產(chǎn)成本減半。本公司從2002年開(kāi)始進(jìn)行130nm工藝芯片的量產(chǎn),計(jì)劃在2004年及2006年,先后以90nm工藝和65nm工藝量產(chǎn)閃存EEPROM。至少在65nm工藝之前,確立了量產(chǎn)的目標(biāo)。將生產(chǎn)技術(shù)向前推進(jìn)一代的同時(shí),減半生產(chǎn)成本。

    45nm工藝也無(wú)需大幅改變存儲(chǔ)單元

關(guān)于新一代的45nm工藝,預(yù)計(jì)可以原封不動(dòng)地沿襲基本的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。能夠使用我們目前使用的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)“ETOX”?赡懿恍枰袢S單元那樣的特殊存儲(chǔ)單元。但是,要想把生產(chǎn)成本控制在65nm工藝芯片的一半,必須導(dǎo)入各種新技術(shù)。比如,關(guān)于單元的絕緣膜,要么對(duì)現(xiàn)有的SiO2進(jìn)行改進(jìn),要么采用新材料。

OUM的成本之高超過(guò)預(yù)想

之所以集中力量開(kāi)發(fā)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器OUM技術(shù),是因?yàn)閺脑砩峡梢暂^NOR型EEPROM更適合進(jìn)行深次細(xì)微加工。但是,從迄今為止的試驗(yàn)和試制結(jié)果來(lái)看,OUM的生產(chǎn)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)我們當(dāng)初的預(yù)想。眾所周知,OUM的存儲(chǔ)單元面積要比1bit/單元的普通NOR型EEPROM小。但是,如果以外部電路的面積比較,OUM要比NOR型EEPROM大。這是因?yàn),與NOR型EEPROM相比,OUM在外部電路上需要更多的解碼電路。原因是,在NOR型EEPROM中選擇存儲(chǔ)單元時(shí)使用晶體管,而OUM在選擇存儲(chǔ)單元時(shí)使用二極管。

需要超過(guò)多值閃存的成本競(jìng)爭(zhēng)力

如上所述,存儲(chǔ)單元面積和外部電路面積的增減相互抵消,OUM的生產(chǎn)成本可以控制在與1bit/單元NOR型EEPROM相仿的水平。但是,我們不會(huì)滿(mǎn)足于此。必須擁有超過(guò)我們目前的主打商品——多值NOR型EEPROM“StrataFlash”的成本競(jìng)爭(zhēng)力。為此,必須做出進(jìn)一步的努力。

OUM的擦寫(xiě)次數(shù)為1010次

關(guān)于投入使用時(shí)的OUM芯片的規(guī)格,讀取時(shí)間及寫(xiě)入時(shí)間應(yīng)能夠保持在與現(xiàn)有NOR型EEPROM相同的水平。OUM可擦寫(xiě)次數(shù)能達(dá)到1010次,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于NOR型EEPROM,。

美國(guó)英特爾是手機(jī)閃存EEPROM的最大供應(yīng)商。迄今為止,該公司憑借NOR型EEPROM的細(xì)微化及多值化,一直領(lǐng)先于業(yè)界、保持著強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。關(guān)于該公司全力推進(jìn)的NOR型EEPROM,以前就有傳言說(shuō)加工工藝水平已達(dá)極限,國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體廠商正在競(jìng)相開(kāi)發(fā)替代存儲(chǔ)器。英特爾本身也在開(kāi)發(fā)NOR型EEPROM的同時(shí),大力開(kāi)發(fā)相變化存儲(chǔ)器“OUM”。日前記者就技術(shù)開(kāi)發(fā)的最新情況,采訪(fǎng)了英特爾負(fù)責(zé)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器等技術(shù)開(kāi)發(fā)的Stefan K. Lai(Vice President,Technology & Mfg. Group,Director,California Technology & Mfg.,Communication Technology)。

2004年以90nm工藝、2006年以65nm工藝量產(chǎn)

為了替代閃存EEPROM,F(xiàn)eRAM及MRAM等各種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)正在順利推進(jìn)。但是,至少在今后5年內(nèi),在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器市場(chǎng),NOR型閃存EEPROM及NAND型閃存EEPROM仍將是主流。關(guān)于本公司從事的NOR型閃存EEPROM,至少在2006年的65nm工藝之前“穆?tīng)柗▌t”仍將成立。非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的穆?tīng)柗▌t意味著在兩年內(nèi)將生產(chǎn)成本減半。本公司從2002年開(kāi)始進(jìn)行130nm工藝芯片的量產(chǎn),計(jì)劃在2004年及2006年,先后以90nm工藝和65nm工藝量產(chǎn)閃存EEPROM。至少在65nm工藝之前,確立了量產(chǎn)的目標(biāo)。將生產(chǎn)技術(shù)向前推進(jìn)一代的同時(shí),減半生產(chǎn)成本。

    45nm工藝也無(wú)需大幅改變存儲(chǔ)單元

關(guān)于新一代的45nm工藝,預(yù)計(jì)可以原封不動(dòng)地沿襲基本的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。能夠使用我們目前使用的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)“ETOX”?赡懿恍枰袢S單元那樣的特殊存儲(chǔ)單元。但是,要想把生產(chǎn)成本控制在65nm工藝芯片的一半,必須導(dǎo)入各種新技術(shù)。比如,關(guān)于單元的絕緣膜,要么對(duì)現(xiàn)有的SiO2進(jìn)行改進(jìn),要么采用新材料。

OUM的成本之高超過(guò)預(yù)想

之所以集中力量開(kāi)發(fā)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器OUM技術(shù),是因?yàn)閺脑砩峡梢暂^NOR型EEPROM更適合進(jìn)行深次細(xì)微加工。但是,從迄今為止的試驗(yàn)和試制結(jié)果來(lái)看,OUM的生產(chǎn)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)我們當(dāng)初的預(yù)想。眾所周知,OUM的存儲(chǔ)單元面積要比1bit/單元的普通NOR型EEPROM小。但是,如果以外部電路的面積比較,OUM要比NOR型EEPROM大。這是因?yàn)椋cNOR型EEPROM相比,OUM在外部電路上需要更多的解碼電路。原因是,在NOR型EEPROM中選擇存儲(chǔ)單元時(shí)使用晶體管,而OUM在選擇存儲(chǔ)單元時(shí)使用二極管。

需要超過(guò)多值閃存的成本競(jìng)爭(zhēng)力

如上所述,存儲(chǔ)單元面積和外部電路面積的增減相互抵消,OUM的生產(chǎn)成本可以控制在與1bit/單元NOR型EEPROM相仿的水平。但是,我們不會(huì)滿(mǎn)足于此。必須擁有超過(guò)我們目前的主打商品——多值NOR型EEPROM“StrataFlash”的成本競(jìng)爭(zhēng)力。為此,必須做出進(jìn)一步的努力。

OUM的擦寫(xiě)次數(shù)為1010次

關(guān)于投入使用時(shí)的OUM芯片的規(guī)格,讀取時(shí)間及寫(xiě)入時(shí)間應(yīng)能夠保持在與現(xiàn)有NOR型EEPROM相同的水平。OUM可擦寫(xiě)次數(shù)能達(dá)到1010次,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于NOR型EEPROM,。

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