霍爾元件的輸入或輸出電阻與磁場(chǎng)之間的關(guān)系（即R-B特性）R-B特性是指霍爾元件的輸入（或輸出）電阻與磁場(chǎng)之間的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)得出， SAB80C535-N霍爾元件的內(nèi)阻隨磁場(chǎng)的絕對(duì)值增加而增加，如圖3-42所示，這種現(xiàn)象稱(chēng)為磁阻效應(yīng)。剩用磁阻效應(yīng)制成的磁阻元件也可用來(lái)測(cè)量各種機(jī)械量。但在霍爾式傳感器中，霍爾元件的磁阻效應(yīng)使霍爾輸出降低，尤其在強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)，輸出降低較多，需采取措施予以補(bǔ)償。

    霍爾元件的基本測(cè)量電路如圖3-43所示，控制電流J由電源E提供，R是調(diào)節(jié)電阻，用以根據(jù)要求改變電流j的大小。霍爾電勢(shì)輸出端的負(fù)載電阻RL，可以是放大器的輸入電阻或表頭內(nèi)阻等。所施加的RL外磁場(chǎng)B，一般與霍爾元件的平面垂直。

   在實(shí)際測(cè)量中，可以把I或者B單獨(dú)作為輸入信號(hào)，也可以把二者的乘積作為輸入信號(hào)，通過(guò)霍爾電勢(shì)輸出得到測(cè)

量結(jié)果。