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操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件也先后被復(fù)制到DRAM中去以便執(zhí)行2024/2/7 22:18:00
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當(dāng)串聯(lián)的是電阻時(shí),就是串聯(lián)電阻。連接的電阻可以是各種形式的,比如純粹的電阻、任何有阻值的元器件、負(fù)載或者是導(dǎo)線本身都可以。串聯(lián)電路就是將各個(gè)電器元件連接起來(lái),組成串聯(lián)...[全文]
32根地址線加上外面的譯碼器就可以訪問(wèn)大量的外設(shè)芯片了2024/1/30 22:58:47
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濾波器的所有型號(hào)均獲得UL認(rèn)證并且額定工作溫度高達(dá)55°C2024/1/30 22:51:32
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次級(jí)側(cè)受控ZVS反激式轉(zhuǎn)換器芯片組EZ-PD™PAG2可以滿足這一需求。該芯片組由EZ-PDPAG2P和EZ-PDPAG2S兩款不同的型號(hào)組成,集成了USBPD、同步整流器和...[全文]
納瓦技術(shù)特性為設(shè)計(jì)提供多元化選擇有效管理功耗并延長(zhǎng)電池壽命2024/1/20 15:07:40
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貼片繞線電感,它的體積非常小。結(jié)構(gòu)看似簡(jiǎn)單,但工藝要求還是非常高的。它的外殼在整個(gè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上主要起到的作用就是保護(hù)內(nèi)部原件的作用。從電感性能以及它運(yùn)行的可靠性上來(lái)看,...[全文]
在輸出端有一個(gè)帶通或低通濾波器可以充分抑制高次諧波分量2024/1/17 23:03:12
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輸入RF扼流圈設(shè)定基極-發(fā)射極電壓的靜態(tài)值;集電極處的RF扼流圈提供晶體管的直流電流。負(fù)載是一個(gè)交流耦合電阻器(RL),在基頻處有一個(gè)高Q諧振電路。通過(guò)縮短諧波分量,...[全文]
集成快速體二極管高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品適用高功率SMPS應(yīng)用2024/1/17 13:17:15
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XMC4200微控制器和CFD7CoolMOS™MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。隨著太陽(yáng)能的應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大,業(yè)內(nèi)迫切需要更高效率的...[全文]
電阻器存在開(kāi)路或阻值增大(比較少見(jiàn))的現(xiàn)象電阻器損壞2024/1/13 14:15:15
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R7F0C205L、R7F0C206L、R7F0C206M、R7F0C207M和R7F0C208M等5款新產(chǎn)品,擴(kuò)充其16位微控制器(MCU)產(chǎn)品線,進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)觸控式家電設(shè)備...[全文]
線纜端口可以作為一個(gè)解決傳統(tǒng)PCB導(dǎo)致信號(hào)丟失問(wèn)題的選擇2024/1/7 14:20:56
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全新的QSFP-DD8001.0規(guī)范旨在作為現(xiàn)有的QSFP-DD5.0規(guī)范的額外補(bǔ)充。由于信號(hào)密度和熱性能上的要求依然十分重要,收發(fā)器焊盤(pán)經(jīng)過(guò)優(yōu)化后可以提高每通道100Gbps性能...[全文]
RGMII和RMII應(yīng)用提供可選的125MHz或50MHz參考時(shí)鐘輸出2024/1/6 20:05:04
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在低至2.2V電壓下工作的高速通信光耦。這兩款器件分別是典型數(shù)據(jù)傳輸率為5Mbps的“TLP2312”和20Mbps的“TLP2372”。新型光耦在-...[全文]
發(fā)光二極管管身外圓上有一小段直線直線所在引腳表示為負(fù)極2024/1/1 20:21:56
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為了再度強(qiáng)化其對(duì)超強(qiáng)數(shù)據(jù)保持力和超高耐久性應(yīng)用的承諾,綠芯以其專(zhuān)有的EnduroSLC®技術(shù)升級(jí)了eMMCNANDriveEX系列。對(duì)于長(zhǎng)壽...[全文]
普通瓷片電容耐壓值50VD由于電路電壓最高不過(guò)直流6V左右2024/1/1 19:35:41
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MSPM0-Q1從硬件、軟件和模擬集成方面,都提供了高度的兼容性和靈活性。從硬件角度,MSPM0-Q1采用了引腳對(duì)引腳的兼容設(shè)計(jì),只要是同一種封裝,全系列產(chǎn)品都可以互換,實(shí)現(xiàn)硬件的...[全文]
兩電平和三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用交流電壓中壓變頻器與交通運(yùn)輸應(yīng)用格局2024/1/1 16:36:35
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最新一代8x8多區(qū)飛行時(shí)間(ToF)測(cè)距傳感器VL53L8CX實(shí)現(xiàn)了一系列改進(jìn),包括更強(qiáng)的抗環(huán)境光干擾能力、更低的功耗和更強(qiáng)的光學(xué)性能。直接ToF傳感器在一個(gè)模塊內(nèi)整...[全文]
旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)上所設(shè)置磁鋼會(huì)觸發(fā)傳感器使發(fā)出極為微弱電信號(hào)2023/12/30 21:35:11
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一個(gè)1uF~10uF的去耦電容,濾除低頻噪聲;在電路板內(nèi)的每一個(gè)有源器件的電源和地之間放置一個(gè)0.01uF~0.1uF的去耦電容(高頻濾波電容),用于濾除高頻噪聲。濾波的目的是要濾...[全文]
大RAM需求在無(wú)需緩沖或預(yù)擦除情況下提供比閃存快100倍寫(xiě)入速度2023/12/19 8:57:25
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全新的MCU將產(chǎn)品組合中所采用的集成式鐵電隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(FRAM)從2KB擴(kuò)展到了256KB。FRAM是一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),能夠提供無(wú)與倫比的靈活性和超低功耗的性能。...[全文]
分布式電源開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)占位面積包括SMT模塊3A 6A 12A和20A產(chǎn)品2023/12/12 9:02:34
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調(diào)諧回路技術(shù)的POL轉(zhuǎn)換器,SLIN系列非隔離,點(diǎn)負(fù)載(POL)dc/dc轉(zhuǎn)換器采用調(diào)諧回路技術(shù)以?xún)?yōu)化轉(zhuǎn)換器的動(dòng)態(tài)響應(yīng),來(lái)匹配特定負(fù)載要求。這樣就減少了任何特定應(yīng)用所需的電容數(shù)量、類(lèi)型和...[全文]
消除電磁干擾源潛在噪聲將"安靜"模擬線路和噪聲I/O端口分開(kāi)2023/12/9 21:05:49
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PCB設(shè)計(jì)中很容易形成可能產(chǎn)生問(wèn)題的兩種基本寄生元件:寄生電容和寄生電感。為消除電磁干擾源的潛在噪聲,最好將“安靜”的模擬線路和噪聲I/O端口分開(kāi)。要設(shè)法實(shí)現(xiàn)低阻抗的電源和地網(wǎng)絡(luò),...[全文]
最大限度減少外部組件簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提供尺寸非常小的解決方案2023/11/30 13:00:53
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在14納米集成電路制造先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)方面取得突破,成功打造集成電路制造業(yè)創(chuàng)新體系,引領(lǐng)和支撐中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)快速崛起,國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力大幅提升。集成電路,也就是芯片,被譽(yù)為電...[全文]
Driven Shield功能減少感應(yīng)電極走線寄生電容對(duì)按鍵靈敏度影響2023/11/28 22:46:02
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電磁爐在加熱鍋的同時(shí),也對(duì)電路板上感應(yīng)電極正向或反向的電流,從而會(huì)縮短或增長(zhǎng)按鍵充放電時(shí)間,會(huì)對(duì)按鍵的檢測(cè)造成很大影響,甚至產(chǎn)生誤動(dòng)作,常見(jiàn)的方法采用硬件屏蔽和過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)來(lái)消除...[全文]
濾波電感與去耦電容特征阻抗類(lèi)似于MM測(cè)試中的電流限制2023/11/28 22:12:30
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對(duì)于高速雙極型IC,HBM測(cè)試中吸收的最大能量是1μJ;2kV人體模式下,如果電容小于0.02μF,C1>>C0二極管會(huì)產(chǎn)生動(dòng)作。實(shí)際應(yīng)用...[全文]
無(wú)源器件構(gòu)成電路功能的集成電路分成有厚膜和薄膜集成電路2023/11/28 8:59:03
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半導(dǎo)體集成電路:是一種將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無(wú)源元件,按照一定的電路互聯(lián),“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上所制成的具有某種電路功能的集成電路。...[全文]
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