Driven Shield功能減少感應(yīng)電極走線寄生電容對按鍵靈敏度影響
發(fā)布時間:2023/11/28 22:46:02 訪問次數(shù):244
電磁爐在加熱鍋的同時，也對電路板上感應(yīng)電極正向或反向的電流，從而會縮短或增長按鍵充放電時間，會對按鍵的檢測造成很大影響，甚至產(chǎn)生誤動作，常見的方法采用硬件屏蔽和過零點檢測來消除電磁輻射對按鍵的影響。
在STM8S的解決方案中，提供了感應(yīng)電極和走線的設(shè)計規(guī)范和Driven Shield功能，能有效地減少感應(yīng)電極走線的寄生電容對按鍵靈敏度的影響。
過零點檢測可采用硬件實現(xiàn)，在硬件設(shè)計中，可以增加過零點的硬件檢測電路，通過在B端輸出為高電平時進(jìn)行按鍵狀態(tài)的判斷，以期在電磁輻射最小的時候?qū)τ|摸按鍵進(jìn)行檢測。
這意味著，在一個每秒發(fā)送20字節(jié)的產(chǎn)品中，一顆225mAh紐扣電池可以讓其持續(xù)運(yùn)行4年零5個月；與此相比，前幾代藍(lán)牙智能技術(shù)僅能維持2年時間。
能源采集技術(shù)，如采集到的光能或動能，也可以用于對支持系統(tǒng)運(yùn)行的可充電電池進(jìn)行充電。
與Silicon Labs Si533xx差分時鐘緩沖器配合使用時，Si535/536 XO為需要多個高性能參考時鐘的SoC提供低抖動時鐘生成和分發(fā)。
STM8S105S4采用的是ST高級STM8內(nèi)核，具備3級流水線的哈佛結(jié)構(gòu)，3.0~5.5V工作電壓，內(nèi)部16MHz RC可提供MCU 16MHz工作頻率，提供低功耗模式和外設(shè)時鐘關(guān)閉功能，共有34個I/O可用。
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在STM8S的解決方案中，提供了感應(yīng)電極和走線的設(shè)計規(guī)范和Driven Shield功能，能有效地減少感應(yīng)電極走線的寄生電容對按鍵靈敏度的影響。
過零點檢測可采用硬件實現(xiàn)，在硬件設(shè)計中，可以增加過零點的硬件檢測電路，通過在B端輸出為高電平時進(jìn)行按鍵狀態(tài)的判斷，以期在電磁輻射最小的時候?qū)τ|摸按鍵進(jìn)行檢測。
這意味著，在一個每秒發(fā)送20字節(jié)的產(chǎn)品中，一顆225mAh紐扣電池可以讓其持續(xù)運(yùn)行4年零5個月；與此相比，前幾代藍(lán)牙智能技術(shù)僅能維持2年時間。
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