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放大器設(shè)計(jì)中頻率及帶寬的確定2016/2/1 20:37:18
2016/2/1 20:37:18
在光電檢測(cè)系統(tǒng)的電路參量選擇中,從減小噪聲影響的原則發(fā),正確地選擇工作GD15N41頻率及帶寬十分重要。這里介紹一些選擇原則。①根據(jù)所采用的光電探測(cè)器的噪聲譜和選定放...[全文]
非本征單片式IR-CCD2016/2/1 20:06:28
2016/2/1 20:06:28
它利用非本征材料作光敏部分,然后轉(zhuǎn)移送給同一芯片上的CCD。這類器G4BC30S-STRR件所用的材料主要有非本征硅和非本征鍺。如在硅中摻磷、鎵、銦等,用離子注入法在所需的光敏區(qū)摻入雜質(zhì)并工作在...[全文]
CMOS圖像傳感器的主要特性2016/1/31 18:54:53
2016/1/31 18:54:53
1.填充系數(shù)光電二極管是CMOS圖像傳感器中主要感光元件,它占據(jù)了每個(gè)像素的一部分面積,MAX4310EUA+T除了光電二極管,像素中還含有一個(gè)或多個(gè)晶體管,這些元組成的電路都會(huì)減...[全文]
電荷耦合攝像囂件2016/1/30 22:16:36
2016/1/30 22:16:36
電荷荷耦合攝像器件是CCD的重要應(yīng)用領(lǐng)域,由CCD構(gòu)成的攝像器件體積小,質(zhì)量ACX502BMV輕,功耗小,堅(jiān)固可靠,低壓供電.價(jià)格低廉,深受各行各業(yè)用戶越來越廣泛的青睞。目前,在閉路電視、家庭用...[全文]
掌握光電成像器件的基本分類2016/1/28 20:35:31
2016/1/28 20:35:31
光電成像器件是一種能將成像在器件光敏面上的二維圖像轉(zhuǎn)變?yōu)橐痪S時(shí)序電信號(hào)輸出的光電探測(cè)器。EP1C20F400CS它從成像原理上可分為掃描型和非掃描型兩類。其基本特性包括光譜響應(yīng)、轉(zhuǎn)換特性和分辨率...[全文]
光電檢測(cè)器件的應(yīng)用選擇2016/1/27 20:00:31
2016/1/27 20:00:31
光電檢測(cè)器件的應(yīng)用選擇,實(shí)際EP1C12F256C6上是應(yīng)用時(shí)的一些注意事項(xiàng)或要點(diǎn)。在很多要求不太嚴(yán)格的應(yīng)用中,可采用任何·種光電檢測(cè)器件。不過在某些情況下,選用某種器件會(huì)合適些。例如,當(dāng)需要比...[全文]
供給光電倍增管的高壓電源2016/1/27 19:34:50
2016/1/27 19:34:50
為了避免信號(hào)電流在最后幾個(gè)倍增極上影響極間電位分布,需在若干個(gè)極間接上儲(chǔ)能電容,EP1810LC-35測(cè)量直流信號(hào)時(shí),為了保證管子工作于線性狀態(tài),分壓器電流應(yīng)小于陽極電流的1/20。但如果過于增...[全文]
光電管2016/1/26 21:49:57
2016/1/26 21:49:57
光電管是一種比較簡(jiǎn)單酌外光電效應(yīng)器件,主要由光電陰極和陽極兩部分組成。因HFBR-2528ETZ管內(nèi)有抽成真空或充入低氣壓惰性氣體的不同,所以有真空型和充氣型兩種。它的工作電路如圖6.2所示,陰...[全文]
拓展知識(shí)2016/1/25 19:48:44
2016/1/25 19:48:44
1.溫度眾所周知,HD74HC10RPEL當(dāng)兩個(gè)冷熱不同的物體相互接觸時(shí),熱量會(huì)從熱物體傳向冷物體,使熱物體變冷,冷物體變熱,最后使兩物體的冷熱程度相同,此時(shí)稱該兩物體達(dá)到熱平衡。...[全文]
與使用環(huán)境條件有關(guān)的因素2016/1/25 19:42:16
2016/1/25 19:42:16
與使用環(huán)境條件有關(guān)的因素1)安裝現(xiàn)場(chǎng)條件及情況。HD74HC10FPEL2)環(huán)境條件(濕度、溫度、振動(dòng)等]。3)信號(hào)傳輸距離。4)現(xiàn)場(chǎng)所需...[全文]
傳感器的靜態(tài)特性2016/1/25 19:36:17
2016/1/25 19:36:17
傳感器能否將被測(cè)非電量不失真地轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電量,取決于傳感器的輸入一輸出特性。HD74HC04P傳感器這一基本特性可用其靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性來描述。傳感器的靜態(tài)特性。傳...[全文]
硅光電三極管的頻率響應(yīng)除了與二極管相同外2016/1/25 19:31:12
2016/1/25 19:31:12
硅光電三極管的頻率響應(yīng)除了與二極管相同外,還受硅HD74HC02P光電三極管基區(qū)渡越時(shí)間和發(fā)射結(jié)電容的限制。圖5.25示出了硅光電三極管的基本電路及等效電路圖,為便于分析和計(jì)算,在等效電路中不考...[全文]
硅光電池的光電變換電路2016/1/24 20:32:51
2016/1/24 20:32:51
在電壓輸出狀態(tài),GL2574-ASF8R為了獲得高的輸出電壓,應(yīng)使RL>Rb,此時(shí)采用輸入阻抗高的電壓放大器為好。顯然頻率特性變壞。以上所述是選用負(fù)載電阻及放大器的原則,同樣...[全文]
光照零偏PN結(jié)產(chǎn)生開路電壓的效應(yīng)2016/1/24 19:53:11
2016/1/24 19:53:11
光照零偏PN結(jié)產(chǎn)生開路電壓的效應(yīng),稱為光伏效應(yīng)。這也是光電池的工作原理。如果給PN結(jié)加上一個(gè)反向偏置電壓∽外加電壓所建的電場(chǎng)方向與PN結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)方向相同,GAL16V8D-15LP...[全文]
光照PN時(shí)電流方程2016/1/24 19:51:48
2016/1/24 19:51:48
當(dāng)光照射PN結(jié)時(shí),只要入射光子能量大于材料禁帶寬度,就會(huì)在結(jié)區(qū)產(chǎn)生電子一空穴對(duì)。GAL16V8D-15LP在零偏置條件下,假定光輻射入射到PN結(jié)的P區(qū)表面,由于P區(qū)的多數(shù)載流子是空穴,光照前熱平...[全文]
負(fù)載電流與光敏電阻值無關(guān)2016/1/23 21:22:42
2016/1/23 21:22:42
但當(dāng)入射光通量多1和西2相差幾個(gè)數(shù)量級(jí),即入射功率在較大的動(dòng)態(tài)范圍變化時(shí),K4T1G164QE-HCF7相應(yīng)的RP1和RP2也相差很太,要保持阻抗匹配狀態(tài)是困難的,這也是光電導(dǎo)探測(cè)器的不利因素之...[全文]
光敏電阻的偏置電路2016/1/23 21:15:10
2016/1/23 21:15:10
光電導(dǎo)器件接收光輻射信號(hào)時(shí),直接起K4S643232H-UC60變化的參量是光電導(dǎo)(或光電導(dǎo)率)。若要光電器件得到正常的電路工作條件,即合適的電流(電壓或功率)信號(hào)輸出,同時(shí)完成與前置放大及耦合...[全文]
探測(cè)器噪聲2016/1/23 19:55:50
2016/1/23 19:55:50
熱噪聲存在于任何導(dǎo)體和半導(dǎo)體中。當(dāng)溫J3006G21D度高于絕對(duì)零度時(shí),導(dǎo)體和半導(dǎo)體中載流子以1.59xl0-10C的電量做無規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng),相當(dāng)于微電脈沖,盡管其平均值為零,但是每一瞬間兩個(gè)方向...[全文]
調(diào)制檢測(cè)光信號(hào)有何優(yōu)點(diǎn)2016/1/22 22:34:02
2016/1/22 22:34:02
調(diào)制檢測(cè)光信號(hào)有何優(yōu)點(diǎn)?常用的調(diào)制途徑、方法有哪些?簡(jiǎn)述一些常用的調(diào)制方法。A29800UV-70如果一縱向電光調(diào)制器沒有起偏器,入射的自然光能否得到光強(qiáng)度調(diào)制?為什么?...[全文]
光波在聲光晶體中的傳播2016/1/21 19:25:16
2016/1/21 19:25:16
聲波是一種彈性波(縱向應(yīng)力波),在介質(zhì)中傳播時(shí),它使介質(zhì)產(chǎn)生相應(yīng)的彈性變形,H7N1005DL從而激起介質(zhì)中各質(zhì)點(diǎn)沿聲波的傳播方向振動(dòng),引起介質(zhì)的密度呈疏密相間的交替分布。因此,介質(zhì)的折射率也隨...[全文]
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