它利用非本征材料作光敏部分，然后轉(zhuǎn)移送給同一芯片上的CCD。這類器G4BC30S-STRR件所用的材料主要有非本征硅和非本征鍺。如在硅中摻磷、鎵、銦等，用離子注入法在所需的光敏區(qū)摻入雜質(zhì)并工作在合適的溫度下，使雜質(zhì)處于未電離狀態(tài)。當受到紅外輻射作用時，雜質(zhì)將電離，光生載流子被送入有排泄或抗彌散的二極管存儲區(qū)。如果采用背景減除電路，就能夠取出疊加在固定背景上的小信號，達到探測目的。

   原則上講，摻雜不同就可以得到對應不同輻射波長響應的探測器。實際上由于大多數(shù)有用的雜質(zhì)在基質(zhì)半導體的晶格中因溶度低，使得其靈敏度很低。目前用于三個大氣窗口的非本征硅大致上為：第一和第二個窗口可用In、S和Tl摻雜。但S的固溶度低，擴散快，可能導致外延層污染。Tl比較合適，但只適用于3.4—4.2 Wn。第三個窗口的摻雜劑主要是Ga，而Mg雜質(zhì)由于存在一個0.04 eV淺能級，故需要補償才有希望作為長波長探測器材料。

   由于非本征硅光電導材料在低溫下的電阻率高，因而能用來做積累式CCD的襯底。在積累模式MIS結(jié)枸中，柵極是加偏壓的，因而多數(shù)載流子就沿絕緣體和半導體界而存儲和轉(zhuǎn)移，這時在柵下形成了局部勢阱。但在電荷轉(zhuǎn)移的動力學過程上與普通可見光CCD

的反型模式有很大差別。因為在積累式器件中，橫向電場一直延伸到背面電極，而不像反型模式的橫向電場只限制在耗盡區(qū)。

   不過也可以用少數(shù)載流子工作模式，如圖7.47 (a)和(b)所示，它由非本征襯底和導電類型相反的外延層組成，非本征襯底中的多子注入外延層成為少子。圖7.47結(jié)構(gòu)稱為直接注入模式，其中圖7.47 (a)類似于雙極性晶體管，而圖7.47 (b)則類似于MOS場效應管。為了降低外延層和PN結(jié)區(qū)的復合，引起收集效率降低，柵壓一般要求高些。