當(dāng)光照射PN結(jié)時，只要入射光子能量大于材料禁帶寬度，就會在結(jié)區(qū)產(chǎn)生電子一空穴對。GAL16V8D-15LP在零偏置條件下，假定光輻射入射到PN結(jié)的P區(qū)表面，由于P區(qū)的多數(shù)載流子是空穴，光照前熱平衡時空穴濃度本來就比較大，因此光生空穴對P區(qū)空穴濃度影響很小，而光生電子對P區(qū)的電子濃度影響很大。從P區(qū)表面到P區(qū)內(nèi)部形成電子濃度梯度（表面電子濃度大，內(nèi)部濃度小），引起電子從表面向內(nèi)部擴(kuò)散，如果P區(qū)的厚度小于電子擴(kuò)散長度，那么大部分光生電子都能擴(kuò)散進(jìn)PN結(jié)，一旦進(jìn)入PN結(jié)，就被內(nèi)建電場掃向N區(qū)。這樣，光生電子一空穴對就被內(nèi)建電場分離開來，空穴留在P區(qū)，電子通過擴(kuò)散流向N區(qū)。當(dāng)光照射到N區(qū)時，則在內(nèi)建電場的作用下，空穴通過擴(kuò)散流入P區(qū)，電子留在N區(qū)�？�之，不管光照在P區(qū)還是N區(qū)，入射光都會引起由N區(qū)流向P區(qū)的光電流昂。這時用電壓表就能量出P區(qū)正、N區(qū)負(fù)的開路電壓‰，稱為光生電匱。同時，如果用一個理想電流表接通PN結(jié)，則有電流厶通過，稱為短路光電流，顯然

    Uo=Ro/o    (5.2)

   式中，Ro為結(jié)電阻。光生電子與空穴的這一流動，使P區(qū)的電勢增高，這相當(dāng)于在PN結(jié)上加一正向偏壓UO，這個正向電壓使PN結(jié)勢壘由gUD（UD為內(nèi)建電動勢）降至gUD-q‰。同時，這個正向電壓還引起電流厶=I。(eqUol Kr _1)流過PN結(jié)，厶的方向正好與上述光電流昂的方向相反。