蜜桃视频资源在线观看,乱肉妇岳奶水16章

FDS6680A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS6680A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDS6680A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDS6680AS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1240pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

FDS6680AS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1240pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

FDS6680AS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1240pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

H48-6G-100-100-2.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM
IPW65R190C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
IRFU9120
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
FDS6676AS
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
GJM0335C1E5R1CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
ISC1812ES1R8K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
IRFU9120NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
H48-6G-100-100-3.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X3MM
IPW65R190E6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
ISC1812ES331K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
GJM0335C1E5R2CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
IRFW630BTM_FP001
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
H48-6G-150-150-1.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
IQ1030 2202
配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
FDS6682
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

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