應(yīng)用IRS2540實現(xiàn)帶同步整流的LED驅(qū)動電路
發(fā)布時間:2015/3/24 21:43:15 訪問次數(shù):881
應(yīng)用IRS2540實現(xiàn)帶同步整流的LED驅(qū)動電路
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。A030900-3在低電壓、大電流輸出的LED驅(qū)動電路中,它能有效地降低整流器的損耗,提高驅(qū)動電路的效率。功率MOSFET屬于電壓拉制型器件,它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系,不存在死區(qū)電壓。用功率MOSFET作整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。
電子技術(shù)的發(fā)展,使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗,但也給電源設(shè)計提出了新的難題。開關(guān)電源的損耗主要由三部分組成:功率開關(guān)管的損耗、高頻變壓器的損耗、輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降相對較高,輸出端整流管的損耗尤為突出?旎謴(fù)二極管( FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1. 2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD)也會產(chǎn)生大約0. 6V的壓降,這就導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低。
舉例說明,筆記本電腦普遍采用3. 3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達(dá)20A。此時超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達(dá)到(18%~40%),占電源總損耗的60%以上。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC交換器提高效率的瓶頸。
應(yīng)用IRS2540實現(xiàn)帶同步整流的LED驅(qū)動電路
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。A030900-3在低電壓、大電流輸出的LED驅(qū)動電路中,它能有效地降低整流器的損耗,提高驅(qū)動電路的效率。功率MOSFET屬于電壓拉制型器件,它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系,不存在死區(qū)電壓。用功率MOSFET作整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。
電子技術(shù)的發(fā)展,使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗,但也給電源設(shè)計提出了新的難題。開關(guān)電源的損耗主要由三部分組成:功率開關(guān)管的損耗、高頻變壓器的損耗、輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降相對較高,輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復(fù)二極管( FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1. 2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD)也會產(chǎn)生大約0. 6V的壓降,這就導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低。
舉例說明,筆記本電腦普遍采用3. 3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達(dá)20A。此時超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達(dá)到(18%~40%),占電源總損耗的60%以上。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC交換器提高效率的瓶頸。
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