如果使用的LED數(shù)量較多，考慮到驅(qū)A916CY-6R2M動(dòng)電壓等，不可能只是串聯(lián)，最好混聯(lián)。各串、并聯(lián)LED之間必須要有平均電流措施，最簡(jiǎn)單的均流措施就是在每一串聯(lián)管中串聯(lián)一個(gè)電阻牽制電流的偏移。電阻上昀壓降太大，增加功耗，壓降太小則均流效果不好，一般電阻壓降取串聯(lián)LED總壓降的5%左右。

   不同的LED連接結(jié)構(gòu)影響LED照明的應(yīng)用，應(yīng)根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)選擇適宜的連接方式，考察影響LED照明的可靠性、發(fā)光效率、光環(huán)境及驅(qū)動(dòng)電路的要求。一般的大功率LED照明燈，從成品來看封裝是單個(gè)芯片的，其實(shí)是用多個(gè)LED芯片封裝在一個(gè)單位里的，它們的排列組合是串并聯(lián)，如首先N個(gè)串聯(lián)，再N個(gè)并聯(lián)，然后引兩頭作為電路端連接電源。

   市場(chǎng)上的LED是由Ⅲ-V族元素組成的化合物，如GaAs、GaP、GaAsP等，這些半導(dǎo)體材料在一定條件下具有發(fā)光特性。發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個(gè)過渡層PN結(jié)，因此具有一般PN結(jié)的伏安特性，如正向?qū)�、反向截止、擊穿等�?/span>性。當(dāng)P區(qū)接高電平時(shí)，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。

   電子從N區(qū)擴(kuò)散（注入）到P區(qū)，而空穴從P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)，擴(kuò)散的結(jié)果將在半導(dǎo)體材料的PN結(jié)處形成一定高度的電子勢(shì)壘，阻止電子和空穴進(jìn)一步擴(kuò)散，達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)外如一個(gè)正向偏置電壓，即P型材料接正極、N型材料接負(fù)極時(shí)，外電場(chǎng)形成的電流從LED陽(yáng)極流向陰極，PN結(jié)勢(shì)壘降低，N區(qū)的電子將更多地注入到P區(qū)，P區(qū)的空穴更多地注入到N區(qū)，打破原來的平衡狀態(tài)。外電場(chǎng)激勵(lì)下的這些注入的電子和空穴在PN結(jié)相遇發(fā)生一定量的復(fù)合而發(fā)光。假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴

直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心捕獲，而后再與空穴復(fù)合，每次釋放的能量較小，也形成不了光而以熱的形式散失掉。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，僅在靠近PN結(jié)幾納米

內(nèi)產(chǎn)生。LED發(fā)光是帶電粒子在半導(dǎo)體能隙之間躍遷的結(jié)果，能隙的大小決定了發(fā)光的波長(zhǎng)，目前半導(dǎo)體晶體能發(fā)出從紫外到紅不同顏色的光，近年來產(chǎn)生的表面和邊緣發(fā)光技術(shù)，能改變波長(zhǎng)和功率特性等性能指標(biāo)。