在熱平衡條件下，結(jié)區(qū)有統(tǒng)一的廓；MAX3814CHJ在遠離結(jié)區(qū)的部位，Ec、EF，Ev之間的關(guān)系與結(jié)形成前狀態(tài)相同。從圖1-18可知，N型、P型半導體單獨存在時，EFN與EFP有一定差值。當N型與P型兩者緊密接觸時，電子要從費米能級高的一方向費米能級低的一方流動，空穴流動的方向相反。同時產(chǎn)生內(nèi)建電場，內(nèi)建電場方向為從N區(qū)指向P區(qū)。在內(nèi)建電場作用下，EN將連同整個N區(qū)能帶一起下移，EFP將連同整個P區(qū)能帶一起上移，直至將費米能級拉平為

EFN=EFP，載流子停止流動為止。此時在結(jié)區(qū)的導帶與價帶則發(fā)生相應的彎曲，形成勢壘。勢壘高度等于N型、P型半導體單獨存在時費米能級之差：

   g VD=EFN-EFP    (1-14)

   得

   VD=(EFN-EFP)/q

   式中，g為電子電量；VD為接觸電勢差或內(nèi)建電勢。

   對于在耗盡區(qū)以外的狀態(tài)：

   VD=(KT/q)ln(NAND/nf2)

   式中，ⅣA、ⅣD、ni分別為受主、施主、本征載流子濃度。

   可見VD與摻雜濃度有關(guān)。在一定溫度下，PN結(jié)兩邊摻雜濃度越高，料的ni較小，故VD也大。