在一塊單晶半導體中，MAX3790CCQ一部分摻有受主雜質(zhì)是P型半導體，另一部分摻有施主雜質(zhì)是N型半導體時，P型半導體和N型半導體的交界面附近的過渡區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)兩種，用同一種半導體材料制成的PN結(jié)叫同質(zhì)結(jié)，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料制成的PN結(jié)叫異質(zhì)結(jié)。制造PN結(jié)的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等，制造異質(zhì)結(jié)通常采用外延生長法。

   在P型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質(zhì)，在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質(zhì)（離子）是固定不動韻。N型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時，在界面附近空穴從P型半導體向N型半體擴散，電子從N型半導體向P型半導體擴散�？昭ê碗娮酉嘤龆鴱秃�，載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間帶電的固定離子，稱為空間電荷區(qū)。P型半導體一邊的空間電荷是負離子，N型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產(chǎn)生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。

   同質(zhì)結(jié)可用一塊半導體經(jīng)摻雜形成P區(qū)和N區(qū)，由于雜質(zhì)的激活能量AE很小，在室溫下雜質(zhì)通常都電離成受主離子NA和施主離子N；。在P、N區(qū)交界面處因存在載流子的濃度差，故彼此要向?qū)Ψ綌U散。設(shè)想在結(jié)形成的一瞬間，在N區(qū)的電子為多子，在P區(qū)的電子為少子，使電子由N區(qū)流入P區(qū)，電子與空穴相遇又要發(fā)生復合，這樣在原來是N區(qū)的結(jié)面附近的電子變得很少，剩下未經(jīng)中和的施主離子N苦形成正的空間電荷。同樣，空穴由P區(qū)擴散到N區(qū)后，由不能運動的受主離子NA形成負的空間電荷。在P區(qū)與N區(qū)界面兩側(cè)產(chǎn)生不能移動的離子區(qū)（也稱耗盡區(qū)、空間電荷區(qū)、阻擋層），于是出現(xiàn)空間電偶層，形成內(nèi)電場（又稱內(nèi)建電場），此電場對兩區(qū)多子的擴散有抑制作用，而對少予的漂移有幫助作用，直到擴散流等于漂移流時達到平衡，在界面兩側(cè)建立起穩(wěn)定的內(nèi)建電場。